テルモセラ・ジャパン株式会社

取扱製品

取扱製品一覧

□■□MiniLabシリーズ実験装置□■□ (22)

「MiniLab series実験装置」は、豊富なオプションから必要な膜種・用途に応じて都度適切なモジュール選択をすることにより、カスタマイズ品でありながら無駄が無くコンパクトな装置構成を容易に構築することができます。モジュラー式制御ユニットをPlug&Play感覚で搭載することにより応用範囲が広がり、様々なプロセス実験装置への応用が可能になります。

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⚫️MiniLab-CF/MF 小型超高温実験炉Max2900℃ (22)

最高2800℃まで加熱実験ができる高性能R&D用超高温小型実験炉。

◆モデル◆
・MiniLab-CF(カーボン炉:真空・不活性ガス中 Max2900℃)
・MiniLab-MF(メタル炉:真空・還元雰囲気 Max2600℃)
◆最高温度◆
・MiniLab-CF-M/L-HT(Max2000℃)
・MiniLab-CF-M/L-EXT(Max2900℃)
・MiniLab-MF-M/L-HT(Max2000℃)

◆主な特徴◆
・自動シーケンス操作。煩雑な操作を必要とせずボタン操作のみで真空引き〜ベント〜ガス導入シーケンスを実行
・加熱試料室サイズ標準Φ60(CF/MF-M)Φ150(CF/MF-L)
・省スペース
・ロータリーポンプ付属
・インターロック8箇所設置
◆基本仕様◆
・電源仕様:AC200V 50/60HZ 8KVA
・Max2800℃(カーボン炉)、2000℃(メタル炉)、
・プログラム温度調節計、C熱電対
◆オプション◆
・記録計
・ターボ分子ポンプ
・るつぼ
◆主なアプリケーション◆
・新素材開発
・燃料電池
・その他

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⚫️MiniLab-WCF/WMF超高温ウエハー焼成炉2200℃ (22)

安全性・操作性を重視した、『ウエハー焼成』専用R&D用超高温実験炉。

◆主な特徴◆
・習熟度を問わずどなたでも簡単に操作できます。
・自動シーケンス操作:試料設置後、煩雑な操作が必要無く、ボタン操作のみで真空引〜ベント〜ガス導入を実行
・上部扉より内部試料室にアクセス
・有効加熱範囲:φ2-φ8inch(その他サイズ可能)
・高真空雰囲気対応(ターボ追加:1x10-5Torr)
・インターロック8系統の状態が前面LEDランプで確認
◆基本仕様◆
・発熱体:CCコンポジット(WCF), タングステン(WMF)
・断熱材:グラファイト(WCF), タングステン/モリブデン(WMF)
・電源仕様:AC200V 70A 14KW(*8inch 2ゾーンの場合)
・Max2000℃
・使用雰囲気:真空・不活性ガス(WCF), 真空・不活性ガス・還元雰囲気(WMF)
・プログラム温調計、C熱電対
◆オプション◆
・2ゾーン制御(*6, 8inch)
・記録計
・ターボ分子ポンプ
・ウエハホルダー
◆主な用途◆
・SiC, GaN等電子デバイス
・他先端材料開発に応用

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◉ 【MiniLab-026】小型真空蒸着装置 (24)

◉ 19inchシングルラックフレームに収納、わずかなスペースで設置が可能
◉ 抵抗加熱蒸着源x4式、オプションでOLED蒸着源x2式搭載
◉ オプションで、グローブボックス連結仕様への改造可能
◉ 豊富なオプション部品を用意

研究開発用途の、エントリーレベル小型真空蒸着装置です。抵抗加熱式蒸着ソース(最大4pockets)電極モジュール「TE1~TE4」を組替え、対応するTECコントローラ(写真下)にて自動もしくは手動制御を行います。オプションが豊富で、手動/自動シャッター、石英ベルジャー、ボート、ハース、膜厚計、真空計、基板ホルダ(回転機構付)、基板加熱機構(ホットステージ)によりRFバイアス印加/Z軸上下昇降も可能。又、現在各研究機関で盛んに開発が進められている「OLED(有機トランジスタ)」膜材料にも対応可能です。

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◉ 【MiniLab-M307】ベルジャー式真空蒸着装置 (22)

低価格で, しかも妥協の無いハイスペック・高品質薄膜が可能
【主仕様】(フレキシブルにご要求に合わせた構成が可能です)
・ベルジャー:ガラス(Pyrex)もしくは SUS304 Φ304 x 350H mm ベースプレート着脱式
・真空排気系:ターボ分子ポンプ 250ℓ/sec, ロータリーポンプ 8㎥/hr PLC自動真空/ベントシーケンス制御
・抵抗加熱蒸着源:最大4源(Model. TE1~TE4蒸着源)
・有機蒸着源:最大3源
・カーボン蒸着源:1源(オプション)
・プロセス制御:手動、もしくはPC自動制御
・膜厚モニタ:Inficon社製 Q-Pod膜厚モニタ 専用ソフトウエア, 水晶振動子
・膜厚制御:Inficon社製 SQC310 2チャンネルシーケンシャル膜厚プロセスコントローラ
・ユーティリテ:電源200V 3相 50/60Hz 13A, 水冷3ℓ/min, N2ベントガス50kpa
・オプション:コデポジション, 基板加熱, 基板ペルチェ冷却, バイアス印加, 上下昇降, ドライポンプ

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□■□卓上型薄膜実験装置シリーズ□■□ (23)

テルモセラ・基板加熱ヒーターは、研究開発用途に特化した『省スペース』『高機能』『低価格』な真空薄膜実験装置を揃えております。
◉ nanoPVD卓上型マグネトロン式スパッタリング装置
◉ Nanofurnace BWS-NANO卓上型熱CVD装置
◉ nanoCVD卓上型グラフェン/CNT合成装置
いずれもコンパクトな装置でありながら膜質に拘った、決して性能は妥協しない高性能装置です。
今後も研究開発分野に寄与すべく新装置ラインナップを拡充する予定です。

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◉ nanoPVD卓上型スパッタリング装置 (25)

nanoPVD卓上型スパッタリング装置 Model. S10A
高性能・多機能にも関わらず、実験室の限られたスペースにもフィットする卓上型・スモールフットプリント、7inch前面タッチパネルによる簡単操作。
USB端子付、PCデータロギング機能標準搭載(最大1000layer, 50filmのレシピ保存)

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◉ nanoCVD卓上型Graphene/CNT成膜装置 (22)

◆nanoCVD-8G(グラフェン用)
◆nanoCVD-8N(カーボンナノチューブ用)

◉ 大型製造装置設備を使わず、簡単にグラフェン・CNT(SWNT)合成実験が可能
◉ 1バッチわずか30分!
◉ コールドウオール式による高効率・高精度プロセスコントロール
◉ 急速昇温:RT→1100℃/約3分間
◉ 高精度温度流量制御・再現性に優れたハイパフォーマンス機

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◉ Nanofurnace卓上型熱CVD装置 (22)

多目的に使える、高精度プロセスコントロール【ホットウオール式熱CVD装置】
◉ グラフェン, カーボンナノチューブ
◉ ZnOナノワイヤ
◉ SiO2等の絶縁膜など
その他, ホットウオール式熱CVD装置として幅広いアプリケーションに活用いただけます。

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□■□超高温小型実験炉□■□ (23)

【MiniLab-CF, WF超高温カーボン実験炉Max2900℃】, 【超高温小型実験炉 TCF-500 Max2900℃】, 【減圧式脱脂焼結炉 TVDF-1500】など、あらゆる超高温焼成用途に多彩なラインナップからベストなソリューションをご提案致します。又、特注仕様にも応じますのでお気軽に当社までご相談下さい。

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◆◇◆ R&D用小型縦型実験炉 TVF-110 ◆◇◆ (23)

ローコスト 必要最小構成(手動制御)管状炉・拡散炉・熱CVD用加熱リアクター部として応用可能
小片試料〜3inch waferまでの小基板用 サセプタ手動昇降式縦型実験炉
大学・企業研究室での基礎実験用に最適な基礎実験用ローコスト版縦型炉
主な仕様】
・炉内温度Max1200℃, 試料最大温度Max950℃
・小片試料:数ミリサイズ〜3inchウエハーサイズまで対応
・基板枚数:1〜3枚程度
・石英サセプタ手動昇降式:停止位置目盛、クランパ付き
・炉芯管:Φ100 x Φ95 x 470L mm
・昇降:手動回転ハンドル
・温度調節:PIDプログラム温度調節計
・熱電対:2対式K熱電対x1(制御用、過昇温用)、Kタイプ素線(炉芯測温用)

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□■□基板加熱ヒーター□■□ (24)

テルモセラ・基板加熱ヒーターは、プレート材質に「窒化アルミ」「ボロンナイトライド」「インコネル」「石英」から選択ができ、更に搭載するヒーターエレメントもNiCr, Graphite, CCコンポジット, 及び各種コーティング品など豊富に用意。
プロセス雰囲気に合わせてハウジング、電極構造、冷却構造などを自在にカスタマイズした基板加熱ユニットの提案が可能です。
超高温焼成・加熱効率・均熱性・温度再現性に優れた基板加熱ヒーターユニットです。
半導体製造装置、CVD、PVD(蒸着、スパッタ、PLD、ALD)装置などあらゆる装置構成に対応が可能です。

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◉ セラミック・トップ・ヒーター Max 1800℃ (22)

◉ 対応サイズ:φ2inch〜φ800mm及び角型
◉ 使用雰囲気:O2, N2, Ar, Vac
◉ 最高使用温度:
- Max 1800℃(Gr, CCC, Gr/SiC, Gr/BN, CCC/PG)
- Max 850℃(NiCr)

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◉ SHシリーズ基板加熱ヒーター Max 1100℃ (22)

◉ 対応サイズ:φ1inch〜φ6inch
◉ 使用雰囲気:
- 真空, 不活性ガス(SH-BN)
- 真空, O2, 大気, 不活性/活性ガス中(SH-IN)
◉ 最高使用温度:
- Max 1100℃(SH-BN *O2不可)
- Max 850℃(SH-IN)

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◉ ホットステージ「基板加熱機構」Max 1800℃ (22)

◉ 基板上下機構、Z軸上下昇降(加熱部、基板)RF/DCバイアス、傾斜
◉ 対応サイズ:φ2inch〜φ12inch
◉ 使用雰囲気:O2, N2, Ar, Vac他
◉ 最高使用温度:
- Max 1800℃(Gr, CCC, CCC/PG)
- Max 1400℃(SiC, PG, PBNコーティング)
- Max 850℃(NiCr)
- Max 600℃(ハロゲンランプ)

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◉ 超高温基板ヒーター用エレメント Max 2200℃ (22)

【エレメント材質】

■ AlN-W-AlNヒーター
■ グラファイト

■ CCコンポジット

■ グラファイトSiCコーティング

■ グラファイトPBNコーティング

■ CCコンポジットPGコーティング

■ グラッシーカーボン(黒色ガラス状樹脂コーティング)

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□■□温度センサー□■□ (24)

工業用熱電対、測温抵抗体、他多種の温度センサーを取り扱っております。

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◉ 真空熱電対 (24)

各種真空規格フランジを接続し、気密性を持たせた熱電対。Kタイプ(クラス2)、シース部SUS316もしくはインコネル。フランジサイズはICF34, ICF70, NW16, NW25, NW40。
【基本仕様】
◉ JIS Kタイプ クラス2
◉ シース材質 SUS316, Inconel600
◉ シース径 0.5, 1.0, 1.5
◉ フランジ ICF34, 70, NW16, 25, 40
◉ 補償導線 テフロン被覆 Y形圧着端子付き(ミニコネクタも可能)
◉ 使用可能真空度 1x10-9pa以下(ICF)、1x10-4pa以下(NW)
◉ 二対式も製作可能です。

上記仕様以外にもご要望に応じ、特注仕様製作致します。詳細は当社までお問い合わせ下さい。

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□■□赤外線温度計測機器□■□ (11)

各種固定設置型 赤外線放射温度センサー
◆小型・高精度非接触式赤外線センサ
◆USB接続高精度赤外線温度センサ(2.2um短波長用)
◆高温用 放射率調整/レーザー照準付赤外線温度センサ
◆本質安全防爆赤外線放射温度センサ

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◉ 小型・高精度赤外線放射温度センサー (11)

各種装置への組込みに最適な、小型OEM仕様の非接触放射温度センサーです。
◉ 放射率固定 0.95
◉ 応答速度 240msec
◉ 再現性±0.5% or ±0.5℃
◉ 精度±0.1% or ±0.1℃
◉ 電源24VDC
◉ 出力4〜20mADC

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◉ USB接続式・放射率可変 高温用赤外線放射温度センサー (11)

ワイドレンジ-20〜1000℃。放射率可変型、レーザー照準内蔵の非接触放射温度センサーです。
◉ 放射率設定範囲 0.1〜1.0
◉ 応答速度 240msec
◉ 再現性±0.5% or ±0.5℃
◉ 精度±0.1% or ±0.1℃
◉ 電源24VDC
◉ 出力4〜20mADC

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◉ 本質安全防爆型赤外線放射温度センサー (11)

TIIS(産業安全技術協会)検定取得 危険場所(Zone0, 1, & 2)で使用可能
石油化学プラント・医薬品工場などの危険物管理区域・爆発性ガス雰囲気での温度測定制御用としてお使いいただけます。
● 危険場所Zone 0、1 及び2(特別危険箇所、第一類危険箇所及び第二類危険箇所)で使用可
● 測定温度範囲:-20℃ ~ +1000℃
● 最大最小設定可能スパン:Max1000℃, Mini100℃(-20〜1000℃範囲で設定可能)
● 2線式、4-20mA出力
● 本質安全防爆絶縁バリヤ付属
● USB接続コンフィグレーション設定器「LCT設定器」付属:WindowsPCで付属の専用ソフトでスケーリング・スパン調整・放射率などの設定が可能
● オプション:固定金具, エアパージキット, 延長ケーブル(10m, 25m)
● 過酷な環境に対応、316 ステンレス容器採用
● 保護等級IP65

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◉ スマートホン設定式赤外線放射温度センサー (9)

温度範囲・放射率・アラーム等のパラメータをスマートホン、タブレットで設定 表示計器、計器用電源を必要とせず簡単に設定できます

● 専用アプリをGoogle Playから無料ダウンロード(Android4.1〜5.1)
● AndroidのNFC通信を使い、センサ部にタッチするだけで読込み・書出しをします。
● 超小型センサ(Φ31mm x t29mm)狭い場所でも温度測定が可能。
● 高速応答125msec、高精度±1.5%
● 電圧出力(0-5V or 0-10V)、又はK熱電対出力

【その他仕様】
◉ 視野角:15:1
◉ 温度範囲:0℃〜1000℃
◉ 測定波長領域:8〜14μm
◉ 放射率: 0.2〜1.0
◉ 電源:24VDC(最小6V/10V〜最大28VDC)
◉ ケーブル:1m付属(最長30m延長可能)

【オプション】
◉ 本体固定金具
◉ 延長ケーブル
◉ エアパージキット

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注目製品情報

  • ANNEAL
    ◆ANNEAL◆ 卓上型ウエハーアニール装置
    高真空水冷式SUSチャンバー内に設置した加熱ステージにより最高1000℃までの高温処理が可能です。チャンバー内にはヒートシールドが設置されインターロックにて安全を確保。マスフローコントローラは最大3系統まで増設が可能、精密に調整されたプロセスガス圧力での焼成作業が可能です(APC自動プロセス制御システムオプション)。 又、フロントビューポート、ドライスクロールポンプ、特殊基板ホルダー、熱電対増設、などオプションも豊富。 チャンバー内加熱ステージは、プロセスガス雰囲気・処理温度により3種類のバリエーションがあります。 ・ハロゲンランプヒーター:Max500℃ ・C/Cコンポジットヒーター:Max1000℃(真空中、不活性ガスのみ) ・SiCコーティングヒーター:Max1000℃(真空、不活性ガス、O2)
  • nanoPVD_寸法:750(W) x 580(D) x 600(H)mm 重量:約70kg
    【nanoPVD-S10A】卓上型マグネトロンスパッタリング装置
    研究開発用DC/RFマグネトロン方式スパッタリング装置です。 高性能・多機能にも関わらず、実験室の限られたスペースにもフィットするスモールフットプリント。 高解像度7inch前面タッチパネルによる簡単操作。 膜質に妥協のないハイスペック卓上スパッタリング装置です。 ◉ nanoPVDは、3源カソード+O2&N2追加ガス2系統(MFC制御)、RF/DC PSUの増設(最大2電源まで)同時成膜、など以下の多目的なご用途でお使い頂くことができます。 ・絶縁膜 ・導電性膜 ・化合物 ・コンビナトリアル(*Binary)他 【主な特徴】 ◉ 対応基板:2inch(1〜3源)、もしくは4inch(1源) ◉ 2inchマグネトロンカソードx最大3源 ◉ タッチパネル簡単操作 PLC自動プロセスコントロール ◉ MFC搭載高精度プロセス制御 ◉ Arガス1系統(標準) + 反応性ガス N2, O2増設(オプション) ◉ USB端子付 Windows PCに接続し、最大1000layer, 50filmのレシピを作成・保存。PCでライブデータをロギング。 ◉ 他、多彩なオプションを用意

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