テルモセラ・ジャパン株式会社

◆ANNEAL◆ ウエハーアニール装置 一覧

高真空水冷式SUSチャンバー内に設置した加熱ステージにより最高1000℃までの高温処理が可能です。マスフローコントローラは最大3系統まで増設が可能、精密に調整されたプロセスガス圧力での焼成作業が可能です（APC自動プロセス制御システムオプション）。
又、フロントビューポート、ドライスクロールポンプ、特殊基板ホルダー、熱電対増設、などオプションも豊富。
ヒーター素線は、プロセスガス雰囲気・処理温度により３種類のバリエーションがあります。
・ハロゲンランプ：Max500℃
・C/Cコンポジット：Max1000℃（真空中、不活性ガスのみ）
・SiCコーティング：Max1000℃（真空、不活性ガス、O2）

◉ 基板サイズ：Φ2〜4inch
◉ SUS304水冷式チャンバー
◉ 到達圧力 5x10-5Pascal
◉ 最大3系統マスフローコントローラ
◉ 7"HMIタッチパネル
◉ 高精度ワイドレンジ真空ゲージ
◉ USB端子付、PCデータロギング機能
◉ ターボ分子、 ロータリーポンプ（*ドライポンプへの変更可能）
◉ Kタイプ熱電対付属
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