テルモセラ・ジャパン株式会社

【ホットステージ】超高温基板加熱ステージ Max1800℃

最終更新日: 2023-08-26 16:58:50.0

  • カタログ

超高温基板加熱ステージに、基板昇降・回転、RF/DC基板バイアスの全てが1台で可能! 'All-In-One'コンポーネント

半導体、電子基板、真空薄膜プロセス装置・研究開発用【超高温基板加熱機構】
対応基板サイズ:Φ2〜6inch
真空(UHV対応可能)・不活性ガス・O2・各種プロセス反応性ガス雰囲気等でご仕様いただけます。(詳細別途協議)

◉ 超高真空・不活性ガス雰囲気中・その他各種プロセスガス雰囲気に対応
◉ ステージ上下昇降(基板又はヒーター昇降、基板&ヒータ二段昇降式)
◉ 基板回転
◉ RF(1KW)/DC(800V)バイアス印加(逆スパッタ)
◉ 使用環境に応じたエレメントの選択:
グラファイト, CCコンポジット, ハロゲンランプヒーター, グラファイト/SiCコーティング, グラファイト/PBNコーティング, PGコーティング, AlNヒーター
◉ 各種真空フランジ接続:ICF, ISO(KF/LF), JIS(VG/VF)フランジ
◉ K, C, R熱電対付属
◉ その他オプション:温度制御ユニット, Inc, グラファイト or SiC基板ホルダー
価格情報 詳細は当社までお問い合わせ下さい。
仕様により価格変動します、当社までお気軽にお問い合わせ下さい。
納期 お問い合わせください
※ 詳細は当社までお問合せ下さい。
用途/実績例 【用途】
CVD/PVD(真空蒸着/スパッタリング装置)、各種高温アニール用途、など
【実例】
・TCVD. PECVD. スパッタ等の成膜装置
・既存薄膜装置加熱ステージの高温化, 上下/回転/バイアス機構の増設改造
・新規プロセス評価機、試作機への搭載

詳細情報

4inch hot stage max1200C with bias
4inch hot stage max1200℃ RF bias事例

4inch-hot-stage.jpg

4inch hot stage with water cooling
4inch hot stage水冷ハウジング付き設置事例
Max1200℃グラファイトエレメント インコネルウエハーホルダー

4inch-hot-stage-with-water-cooling.jpg

大気側Z軸駆動モーター
大気側Z軸駆動モーター(50mmストローク例)
RFバイアス

Air-side-Z-shift-50mm-stroke.jpg

2inch hot stage NiCr element max1000C with bias
2inch hot stage NiCr element max1000C with bias
Inconel wafer holder

2inch-hot-stage-1000C-with-1KW-bias.jpg

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