テルモセラ・ジャパン株式会社

◆ANNEAL◆ ウエハーアニール装置

最終更新日: 2023-09-15 14:42:44.0

  • カタログ

Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"、又は6"基板対応、 高真空アニール装置(<5 × 10-7 mbar)

高真空水冷式SUSチャンバー内に設置した加熱ステージにより最高1000℃までの高温処理が可能です。チャンバー内にはヒートシールドが設置されインターロックにて安全を確保。マスフローコントローラは最大3系統まで増設が可能、精密に調整されたプロセスガス圧力での焼成作業が可能です(APC自動プロセス制御システムオプション)。
又、フロントビューポート、ドライスクロールポンプ、特殊基板ホルダー、熱電対増設、などオプションも豊富。
チャンバー内加熱ステージは、プロセスガス雰囲気・処理温度により3種類のバリエーションがあります。

・ハロゲンランプヒーター:Max500℃
・C/Cコンポジットヒーター:Max1000℃(真空中、不活性ガスのみ)
・SiCコーティングヒーター:Max1000℃(真空、不活性ガス、O2)

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◉ 基板サイズ:Φ4inch、又は6inch
◉ SUS304水冷式チャンバー
◉ 到達圧力 5x10-5Pascal
◉ 最大3系統プロセスガス入力
◉ 最大3系統マスフローコントローラ(オプション)
◉ 7"HMIタッチパネル
◉ 高精度ワイドレンジ真空ゲージ 10-9〜1000mbar
◉ USB端子付、PCデータロギング機能
◉ ターボ分子ポンプ:EXT75DX(Edwards社)
◉ ロータリーポンプ:RV3/RV8(Edwards社)(*ドライポンプへの変更可能)
◉ Kタイプ熱電対(ヒーター制御用)付属
価格情報 当社までお問い合わせ下さい。
納期 お問い合わせください
型番・ブランド名 ANNEAL
用途/実績例 ・電子基板、半導体、表示ディスプレー等の薄膜開発
・コーティング材料、薄膜材料の開発
・光学薄膜、装飾膜等の産業用途

詳細情報

ANNEAL front photo
装置外形寸法:750(W) x 500(D) x 400(H)mm
重量:約40kg(*装置構成による)

1.jpg

Halogen lamp heating stage
表面熱電対設置

2.jpg

Halogen lamp heating stage. plate removed
ハロゲンランプ加熱ステージ内部

3.jpg

C/Cコンポジットヒーター加熱ステージ
・CCCヒーターステージ:Max1000℃(真空、不活性ガス)
・SiCコーティングステージ:Max1000℃(真空、不活性ガス、O2)

4.jpg

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メインメニュー画面

Main-menu.png

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グラフ表示

Graph.png

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