テルモセラ・ジャパン株式会社

【HTシリーズ基板加熱ヒーターMax1900℃】Φ1〜8inch

最終更新日: 2023-08-26 17:09:44.0

  • カタログ

プレート最高温度Max1900℃。HV, UHVほか過酷なプロセス環境に対応可能な真空薄膜・成膜装置用基板加熱ヒーター

*旧製品名「セラミック・トップ・ヒーター」
窒化アルミプレート表面温度Max 1600℃
対応可能サイズ Φ1〜8inch用、及び最大150mm角まで

超高温・超高真空対応フルカスタムメイド基板加熱ステージ
◉ヒーターエレメント:
・C/Cコンポジット Max1700℃
・SiC3(炭化珪素)コーティンググラファイト Max1300℃
・TiC3(チタン・カーバイド)コーティンググラファイト Max1900℃

高純度・耐熱性・高耐蝕性を要求される過酷なプロセス環境にも対応するハイスペック基板加熱ステージ。

基板加熱ヒーターは半導体・電子デバイス等の成膜工程での基板加熱用に開発されたハイスペック基板加熱ヒーターです。
トッププレートに熱伝導性・熱放射率・耐サーマルショック・絶縁性に優れた窒化アルミを標準採用、プレートを短時間で超高温まで昇温します。
ヒーター材質はC/C、SiC3、TIC3の3種類を用意。応用範囲は幅広く、装置側の様々な設置条件に対応、多数の製作実例よりご要求にマッチした製品を供給致します。

◆◇使用発熱体◇◆
・C/Cコンポジット Max1700℃
・SiC3(炭化珪素)コーティンググラファイト Max1300℃
・TiC3(チタン・カーバイド)コーティンググラファイト Max1900℃C/Cコンポジット Max1700℃
・SiC3(炭化珪素)コーティンググラファイト Max1300℃
・TiC3(チタン・カーバイド)コーティンググラファイト Max1900℃

◆◇対応基板サイズ◇◆
・Φ1〜8inch基板、150mm角
◆◇使用雰囲気◇◆
・高真空,不活性ガス(CCC)
・超高真空, O2(Gr+SiC3コート)
・還元雰囲気中(Gr+TiC3コート)
価格情報 -
詳細当社までお問い合わせ下さい。
納期 お問い合わせください
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型番・ブランド名 CTH-F, CTH-S
用途/実績例 半導体・太陽電池・表示ディスプレイ等の基礎技術開発分野に於けるCVD, PVD(PLD, ALD, 蒸着, スパッタリングなど)の成膜実験、物性研究などの研究開発用途に好適であり、更に生産用途装置での活用も可能です。

詳細情報

2inch-all-Graphite-heater-with-ICF114-flange
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2inch-all-Graphite,-CCC-element-max1800C
2inch-all-Graphite,-CCC-element-max1800C

2inch-all-Graphite,-CCC-element-max1800C.jpg

2inch-Graphite-heater-with-water-cooled-housing
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2inch-NiCr-heater-max800C
2inch-NiCr-heater-max800C

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4inch-Graphite-heater-with-water-cooling
4inch-Graphite-heater-with-water-cooling
RF biased, plasma forming

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4inch-NiCr-heater-top-plate-removed
4inch-NiCr-heater-top-plate-removed

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