当装置はSiC半導体や、SiC半導体と組合わせて使用する装置を、実機に搭載
させる事なく、実環境に近い評価試験が可能となる装置です。
実機搭載状態に近い条件で、損失、発熱、騒音、耐久性、各種計測器を
用いて波形の確認が可能となります。
また、回生機能を有している為、大容量の試験を少ない消費電力で実現。
SiC半導体以外の、車載用リアクトル、IGBT、IPM用の試験器へ応用もできます。
【特長】
■SiC半導体と組合わせて使用する装置を、実機に搭載させる事なく、
実環境に近い評価試験が可能となる
■実機搭載状態に近い条件で、損失、発熱、騒音、耐久性、各種計測器を
用いて波形の確認が可能
■回生機能を有している為、大容量の試験を少ない消費電力で実現
■SiC半導体以外の、車載用リアクトル、IGBT、IPM用の試験器へ応用も可能
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
基本情報
【仕様例】
■出力周波数:100kHz
■印加電圧:DC250V
■印加電流:DC150A
■入力仕様:三相AC200V 50/60Hz
■販売価格(税抜き):700万円
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東京精電株式会社