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次世代素材で未来のエネルギーに革命を！『GaN パワーデバイス』

トランスフォーム社のGaNパワーデバイスは、D-mode GaNの高信頼性とSi MOSFETを組み合わせた扱いやすいデバイスです。ファブはすべてISO19001、IATF16949を取得済みで、GaNの重要な特許はすべてトランスフォーム社が保有しております。日本国内での不具合解析や技術対応が可能で、高品質、高信頼性を確保した製品です。【特長】 ■高耐圧、低オン抵抗、高速スイッチングに好適 ■製品耐圧：650V、1200V ■オン抵抗：15mΩ(typ) ~ 480mΩ(typ) ■パッケージ：TO-220、TO-247、TO-247-4L、TO-263 　　　　　　　PQFN88、PQFN56、TOLT、TOLL ※詳しくはPDFダウンロード、またはお問い合わせください。
高信頼性 GaN パワーデバイス

トランスフォーム社はGaNの重要な特許はすべて保有。 GaN HEMTの開発及び、量産からアプリケーションまで自社で技術を保有。ファブはすべてISO19001、IATF16949を取得済み。高品質、高信頼性を確保した製品日本国内での不具合解析、技術対応可能
GaNデバイス ACアダプタのパワー向上とサイズダウンを実現

『TP65H300G4LSG』はトランスフォーム社の第4世代GaNパワーデバイスです。汎用のMOSゲートドライバで駆動でき、Si-MOSFETと同様に使用可能。スイッチングロスが少なく、高周波の電源機器の小型化に適しており、 65Wの小型ACアダプタの開発で採用実績があります。【仕様】 ■パッケージ：8×8 PQFN ■Vdss：650V ■Rds(on)：312mΩ(max) ■Id：6.5A(Tc=25℃) 4.1A(Tc=100℃) ※製品についての詳細は、お気軽にお問い合わせください。　「PDFダウンロード」より英語版カタログもご覧いただけます。

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当社は、昭和43年に創業し、電子部品の販売をはじめ数々の電子機器の開発を手がけてきました。私たち旭テックは、コスト、品質、マーケティング、販売、流通の効率化をはじめ、発展に向けたあらゆる面での取り組みを続け、決して慢心することなく、勢いを加速し続けていきます。優れた技術力と情報化時代に即応した独創の視点で見つめ、メーカー機能を持つ商社として、社会に貢献する独自商品の提案・開発に挑みオンリーワン企業を目指します。

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