製品・サービス一覧
注目製品情報
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- 次世代素材で未来のエネルギーに革命を！『GaN パワーデバイス』
- トランスフォーム社のGaNパワーデバイスは、D-mode GaNの高信頼性とSi MOSFETを組み合わせた扱いやすいデバイスです。 ファブはすべてISO19001、IATF16949を取得済みで、GaNの重要な特許はすべてトランスフォーム社が保有しております。 日本国内での不具合解析や技術対応が可能で、高品質、高信頼性を確保した製品です。 【特長】 ■高耐圧、低オン抵抗、高速スイッチングに好適 ■製品耐圧：650V、900V ■オン抵抗：15mΩ(typ) ~ 480mΩ(typ) ■パッケージ：TO-220、TO-247、TO-263、PQFN88 など ※詳しくはPDFダウンロード、またはお問い合わせください。
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- 高信頼性 GaN パワーデバイス
- トランスフォーム社はGaNの重要な特許はすべて保有。 GaN HEMTの開発及び、量産からアプリケーションまで自社で技術を保有。 ファブはすべてISO19001、IATF16949を取得済み。 高品質、高信頼性を確保した製品 日本国内での不具合解析、技術対応可能
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- GaNデバイス ACアダプタのパワー向上とサイズダウンを実現
- 『TP65H300G4LSG』はトランスフォーム社の第4世代GaNパワーデバイスです。 汎用のMOSゲートドライバで駆動でき、Si-MOSFETと同様に使用可能。 スイッチングロスが少なく、高周波の電源機器の小型化に適しており、 65Wの小型ACアダプタの開発で採用実績があります。 【仕様】 ■パッケージ：8×8 PQFN ■Vdss：650V ■Rds(on)：312mΩ(max) ■Id：6.5A(Tc=25℃) 4.1A(Tc=100℃) ※製品についての詳細は、お気軽にお問い合わせください。 「PDFダウンロード」より英語版カタログもご覧いただけます。
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