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【測定事例】<半導体材料>Siウェハの熱伝導率測定【TA】

最終更新日: 2024-11-03 17:37:38.0
半導体材料「Siウェハの熱物性」を熱拡散率を測定!

半導体の材料にはかかせない「Siウェハ」の熱拡散率が測定できます。

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基本情報

半導体の材料にはかかせない「Siウェハ」の熱拡散率が測定できます。
弊社で独自に入手したSiウェハの測定をご紹介します。

測定したのは下記の5種類。
それぞれp型/n型、ドープ量などが違うものです。
 1.ケイ素<0.02Ωcm/P,Low,100
 2.ケイ素>1000Ωcm/P,High,111
 3.ケイ素<0.02Ωcm/N,Low,100
 4.ケイ素<0.02Ωcm/N,Low,111
 5.ケイ素>1000Ωcm/N,High,111

当社のサーモウエーブアナライザーTAで測定しますと、

熱伝導率(熱拡散率)
 1.約120W/mK(74mm2/s)
 2.約140W/mK(87mm2/s)
 3.約120W/mK(76mm2/s)
 4.約120W/mK(75mm2/s)
 5.約140W/mK(87mm2/s)

   *熱伝導率は熱拡散率の測定値と比熱と密度の文献値から計算。

熱伝導率的には、p型/n型でそう大きな差はないようです。
High、lowでは差が出るようですが。

詳細はお問合せください。

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型番・ブランド名 依頼測定(TA)
用途/実績例 半導体材料開発

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