クロスライトソフトウェアインク日本支社

Siのひずみに対するQWモデル(Quantum Well Model for Strained Silicon MOSFETs)

最終更新日: 2020-05-12 11:46:28.0

上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。

ひずみ持ったMOSFETの量子井戸の解析事例
クロスライトの半古典的な量子サブバンド平均化バレー移動度モデル(semi-classical quantum subband valley-averaged mobility model)は、バレー分裂(valley splitting)と異方性(anisotropy)を考慮。平均化されたサブバンドの状態密度(density of states)と移動度(mobility)を用て量子補正(quantum corrections)をした移動拡散方程式(drift-diffusion equations)の自己無撞着解(self-consistent solution)が可能。様々な応力や結晶方向のひずみを持つシリコンMOSFETの特性が予測可能。

関連情報

半導体デバイス用汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトAPSYS
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<インターフェイス>
■構造入力、結果表示のためのツールを標準装備
■独自のスクリプト言語で記述、GUIやコマンドラインから実行が可能
■バッチファイルやスクリプト言語によるプログラム制御が可能

<材料マクロ>
■化合物 (InGaAsNSb, AlGaAsSb, InAs, InAlAs, InP, InGaAlAs, etc.)
■窒化物 (GaN, InGaN, AlGaN, c-GaN(六方晶), c-AlN(六方晶), etc.)
■シリコン (poly, SiGe, h-SiC(六方晶), a-Si(アモルファス), SiO2, etc.)
■金属 (metal(汎用), ITO, Cu, Ag, Fe, Zn, Cd, Al, Sn, Pb, etc.)
■絶縁体 (air(空気), vacuum(真空), TiO2, AlAs-oxide, sapphire, etc.)
■有機物 (BPhen, BCzVBiドープCBP,CuPc, LiF, etc.)
■その他 (GaP, CdS, ZnTe, ZnSe, ZnS, etc.)

【動画】半導体デバイス用2D/3D解析・設計ソフトAPSYS
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太陽電池も解析・設計可能な半導体デバイスシミュレータ APSYS
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