クロスライトソフトウェアインク日本支社

LDMOSのデバイスとプロセスシミュレーション(LDMOS Device and Process Simulation)

最終更新日: 2020-05-12 11:48:50.0

上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。

NovaTCADを用いたLDMOSの解析方法の説明
NovaTCADを用いたLDMOSのプロセスとデバイスのシミュレーションについて解説したアプリケーションノートです。資料中にシミュレーションコードも公開しておりますので、NovaTCADを試用する際の参考にもなります。TCADの導入を検討中のお客様には、是非この機会にアプリケーションノートをダウンロードされて試用版と一緒にお試しになられることをお勧めします。

関連情報

【動画】半導体プロセス&デバイスシミュレータ「NovaTCAD」
【動画】半導体プロセス&デバイスシミュレータ「NovaTCAD」 製品画像

<インターフェイス>
■プロセスシミュレーションとデバイスシミュレーションがGUIを通して制御可能(マスクイメージの編集機能、物理モデルやバイアス設定、結果の解析・表示機、自動処理など)

<材料マクロ (APSYS)>
■化合物 (InGaAsNSb, AlGaAsSb, InAs, InAlAs, InP, InGaAlAs, etc.)
■窒化物 (GaN, InGaN, AlGaN, c-GaN(六方晶), c-AlN(六方晶), etc.)
■シリコン (poly, SiGe, h-SiC(六方晶), a-Si(アモルファス), SiO2, etc.)
■金属 (metal(汎用), ITO, Cu, Ag, Fe, Zn, Cd, Al, Sn, Pb, etc.)
■絶縁体 (air(空気), vacuum(真空), TiO2, AlAs-oxide, sapphire, etc.)
■有機物 (BPhen, BCzVBiドープCBP,CuPc, LiF, etc.)
■その他 (GaP, CdS, ZnTe, ZnSe, ZnS, etc.)

半導体プロセス&デバイスシミュレータ「NovaTCAD」
半導体プロセス&デバイスシミュレータ「NovaTCAD」 製品画像

<インターフェイス>
■プロセスシミュレーションとデバイスシミュレーションがGUIを通して制御可能(マスクデータの編集機能、物理モデルやバイアス設定、結果の解析・表示機能、自動処理など)

<材料マクロ (APSYS)>
■化合物 (InGaAsNSb, AlGaAsSb, InAs, InAlAs, InP, InGaAlAs, etc.)
■窒化物 (GaN, InGaN, AlGaN, c-GaN(六方晶), c-AlN(六方晶), etc.)
■シリコン (poly, SiGe, h-SiC(六方晶), a-Si(アモルファス), SiO2, etc.)
■金属 (metal(汎用), ITO, Cu, Ag, Fe, Zn, Cd, Al, Sn, Pb, etc.)
■絶縁体 (air(空気), vacuum(真空), TiO2, AlAs-oxide, sapphire, etc.)
■有機物 (BPhen, BCzVBiドープCBP,CuPc, LiF, etc.)
■その他 (GaP, CdS, ZnTe, ZnSe, ZnS, etc.)

お問い合わせ

下記のフォームにお問い合わせ内容をご記入ください。
※お問い合わせには会員登録が必要です。

至急度  [必須]
ご要望  [必須]
目的  [必須]
添付資料
お問い合わせ内容 
【ご利用上の注意】
お問い合わせフォームを利用した広告宣伝等の行為は利用規約により禁止しております。
はじめてイプロスをご利用の方 はじめてイプロスをご利用の方 すでに会員の方はこちら
イプロス会員(無料)になると、情報掲載の企業に直接お問い合わせすることができます。
メールアドレス

※お問い合わせをすると、以下の出展者へ会員情報(会社名、部署名、所在地、氏名、TEL、FAX、メールアドレス)が通知されること、また以下の出展者からの電子メール広告を受信することに同意したこととなります。

クロスライトソフトウェアインク日本支社

ページの先頭へ