クロスライトソフトウェアインク日本支社

3次元VCSELマイクロキャビティモデル(3D VCSEL Microcavity Model)

最終更新日: 2021-08-26 13:11:53.0

上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。

一定の光学モードと摂動モデルで3次元VCSEL解析を例示
クロスライトのマイクロキャビティモデルの特徴は、横モードと縦モードを分離することなくマクスウェル波動方程式の厳密な解を得られる、任意のFEMメッシュ構造、出力電力を定義するためのPML境界、光学ゲインモデルとドリフト拡散モデルの結合し完全な自己無撞着を達成、多波長動作を備えた厳密なマルチキャビティ固有モードソリューションです。これらによる矩形型VCSELの解析を例示。

関連情報

半導体レーザ・光デバイス用3Dシミュレーター PICS3D
半導体レーザ・光デバイス用3Dシミュレーター PICS3D 製品画像

<インターフェイス>
■構造入力、結果表示のためのツールを標準装備
■独自のスクリプト言語で記述、GUIやコマンドラインから実行が可能
■バッチファイルやスクリプト言語によるプログラム制御が可能

<材料マクロ>
■化合物 (InGaAsNSb, AlGaAsSb, InAs, InAlAs, InP, InGaAlAs, etc.)
■窒化物 (GaN, InGaN, AlGaN, c-GaN(六方晶), c-AlN(六方晶), etc.)
■シリコン (poly, SiGe, h-SiC(六方晶), a-Si(アモルファス), SiO2, etc.)
■金属 (metal(汎用), ITO, Cu, Ag, Fe, Zn, Cd, Al, Sn, Pb, etc.)
■絶縁体 (air(空気), vacuum(真空), TiO2, AlAs-oxide, sapphire, etc.)
■有機物 (BPhen, BCzVBiドープCBP,CuPc, LiF, etc.)
■その他 (GaP, CdS, ZnTe, ZnSe, ZnS, etc.)

オプション説明一覧 (PICS3D)
オプション説明一覧 (PICS3D) 製品画像

2次グレーティングオプション、3次元電流流れオプション、3次元ベンドメッシュ、アドバンスドk.p摂動モデル、アドバンスドオプティクスモデル/ポンプレーザ、半導体光増幅器モジュール、BPMオプション、Csupremビルダー/メッシュインターフェイス、エキシトン/多体効果オプションなど様々なオプションや物理モデルについて紹介。

【動画】半導体レーザ用3Dデバイスシミュレーター PICS3D
【動画】半導体レーザ用3Dデバイスシミュレーター PICS3D 製品画像

<インターフェイス>
■構造入力、結果表示のためのツールを標準装備
■独自のスクリプト言語で記述、GUIやコマンドラインから実行が可能
■バッチファイルやスクリプト言語によるプログラム制御が可能

<材料マクロ>
■化合物 (InGaAsNSb, AlGaAsSb, InAs, InAlAs, InP, InGaAlAs, etc.)
■窒化物 (GaN, InGaN, AlGaN, c-GaN(六方晶), c-AlN(六方晶), etc.)
■シリコン (poly, SiGe, h-SiC(六方晶), a-Si(アモルファス), SiO2, etc.)
■金属 (metal(汎用), ITO, Cu, Ag, Fe, Zn, Cd, Al, Sn, Pb, etc.)
■絶縁体 (air(空気), vacuum(真空), TiO2, AlAs-oxide, sapphire, etc.)
■有機物 (BPhen, BCzVBiドープCBP,CuPc, LiF, etc.)
■その他 (GaP, CdS, ZnTe, ZnSe, ZnS, etc.)

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