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タイプ II 型超格子光検出器の解析(8×8 k.p model of type II SL photodetectors)

最終更新日: 2021-08-26 13:53:14.0

上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。

8x8 k.pモデルを用いたタイプ II 型超格子光検出器の解析事例
周期境界条件を考慮した8x8 k.pモデルで効率的に解が得られ、光吸収スペクトルを正確に計算し、長波長でのタイプII SL PDの光応答を高速に計算するなどが特徴です。6周期を持つGaSb/InAsの波動関数(Wave function)や、4バンドk.pモデルの伝導帯(Conduction)と価電子帯(Valence)のサブバンド (Subbands)、TE分極(polarization)の双極子モーメント(Dipole moment)、タイプII SLの光利得(Optical gain)の150KでのPD応答など解析例を紹介。

関連情報

半導体デバイス用汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトAPSYS
半導体デバイス用汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトAPSYS 製品画像

<インターフェイス>
■構造入力、結果表示のためのツールを標準装備
■独自のスクリプト言語で記述、GUIやコマンドラインから実行が可能
■バッチファイルやスクリプト言語によるプログラム制御が可能

<材料マクロ>
■化合物 (InGaAsNSb, AlGaAsSb, InAs, InAlAs, InP, InGaAlAs, etc.)
■窒化物 (GaN, InGaN, AlGaN, c-GaN(六方晶), c-AlN(六方晶), etc.)
■シリコン (poly, SiGe, h-SiC(六方晶), a-Si(アモルファス), SiO2, etc.)
■金属 (metal(汎用), ITO, Cu, Ag, Fe, Zn, Cd, Al, Sn, Pb, etc.)
■絶縁体 (air(空気), vacuum(真空), TiO2, AlAs-oxide, sapphire, etc.)
■有機物 (BPhen, BCzVBiドープCBP,CuPc, LiF, etc.)
■その他 (GaP, CdS, ZnTe, ZnSe, ZnS, etc.)

オプション説明一覧 (APSYS)
オプション説明一覧 (APSYS) 製品画像

3次元電流流れオプション、3次元ベンドメッシュ、アドバンスドk.p摂動モデル、アドバンスドオプティクスモデル/ポンプレーザ、Csupremビルダー/メッシュインターフェイス、エキシトン/多体効果オプション、FDTDインターフェイス、Franz-Keldyshモデルなど様々なオプションや物理モデルについて紹介。

【動画】半導体デバイス用2D/3D解析・設計ソフトAPSYS
【動画】半導体デバイス用2D/3D解析・設計ソフトAPSYS 製品画像

<インターフェイス>
■構造入力、結果表示のためのツールを標準装備
■独自のスクリプト言語で記述、GUIやコマンドラインから実行が可能
■バッチファイルやスクリプト言語によるプログラム制御が可能

<材料マクロ>
■化合物 (InGaAsNSb, AlGaAsSb, InAs, InAlAs, InP, InGaAlAs, etc.)
■窒化物 (GaN, InGaN, AlGaN, c-GaN(六方晶), c-AlN(六方晶), etc.)
■シリコン (poly, SiGe, h-SiC(六方晶), a-Si(アモルファス), SiO2, etc.)
■金属 (metal(汎用), ITO, Cu, Ag, Fe, Zn, Cd, Al, Sn, Pb, etc.)
■絶縁体 (air(空気), vacuum(真空), TiO2, AlAs-oxide, sapphire, etc.)
■有機物 (BPhen, BCzVBiドープCBP,CuPc, LiF, etc.)
■その他 (GaP, CdS, ZnTe, ZnSe, ZnS, etc.)

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