SiC/GaN高温半導体の熱対策の電子版特許技術動向調査レポート
下記の技術分類別に特許情報をご覧いただけます。
・混載と分離
・熱抵抗の低減
・熱ストレス
・電気的特性
・空冷熱対策
・液冷熱対策
・熱対策の関連
・熱対策の関連
PDF版
SiC/GaNに代表される高温動作のワイドバンドギャップ半導体は、インバータやコンバータの高効率で高信頼な大電力パワー制御、機器装置の軽量小型化を促し、それに対応して最近の熱対策も大きく変わってきました。
このガイドブックではSiC/GaNパワー素子を用いるインバータやコンバータなどの電力機器の放熱技術に主な対象を絞り、最近の特許情報を調べ、SiC/GaNチップ実装から高温半導体実装ボード、Si/SiC混載や高温発熱ブロックとの混載や熱分離、現実になった電力変換装置の循環冷却など、これからの展開で注目しておきたいアングル（技術的観点）を俯瞰しました。
従来は地味な慣用技術の使い回しで済んでいた放熱設計でしたが、SiC/GaN高温半導体の熱対策は、川上が熱伝導樹脂などの材料物性へ、川下は積極的な熱マネージメントや高周波スイッチングへの誘導インダクティブな周波数特性へと急速に技術変革が広がっています。
SiC/GaNに代表される高温動作のワイドバンドギャップ半導体は、インバータやコンバータの高効率で高信頼な大電力パワー制御、機器装置の軽量小型化を促し、それに対応して最近の熱対策も大きく変わってきました。
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| 価格情報 |
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|---|---|
| 価格帯 | 1万円 ~ 10万円 |
| 納期 | 2・3日 |
| 型番・ブランド名 | ネオテクノロジー |
| 用途／実績例 |
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