最終更新日:
2024-11-18 14:12:57.0
［低温焼結・高密度化］平均粒子径250nmのSiC超微粒子が焼結体の高密度化に貢献します！
SiC（炭化ケイ素）焼結体は、耐薬品性・耐熱性・高熱伝導性など優れた特性を持つことから半導体製造装置の部品など幅広く用いられています。
近年では、製品要求の高度化に伴い、焼結体部品には高密度化が求められています。
しかし、SiCは難焼性材料である為、高密度なSiC焼結体を製作する場合、
2000℃程度の温度環境が必要など、設備的負荷が高いといった課題があります。
こうした課題に対して弊社では、α型炭化ケイ素、GC♯40000を開発しました。
本製品は、平均粒子径が250nmの超微粒子であり、
焼結時の活性化エネルギーが高く、従来よりも低い温度での焼結が可能となります。
また、同一温度条件の場合、より高密度で緻密な焼結体を実現させることもできます。
以下の課題をお持ちの方はお気軽にお問い合わせください
・焼結体の密度を向上させたい
・焼成炉の消費電力削減の為に焼成温度を低減したい
・現行焼成炉でSiCの焼成を行いたいが、焼成炉の上限温度が足りない
【用途例】
・産業機械部品
（メカニカルシール、構造部材、ヒーター等）
・半導体製造装置部品（プロセスチューブ等）
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