最終更新日:
2022-08-30 15:03:01.0
信頼と実績 ～高品質・高信頼性のメモリ～
当社は、高機能の電子機器に欠くことのできない高品質・高性能のメモリLSIを、永年にわたって提供しています。近年の小型化、高性能化、低消費電力化のメモリ製品を提供するとともに、メモリを組み合わせた最適なソリューションも提案しています。
基本情報
当社のシステムメモリ
■FeRAM （Ferroelectric RAM： 強誘電体メモリ）
https://www.fujitsu.com/jp/group/fsm/products/FeRAM/
■ReRAM（Resistive Random Access Memory： 抵抗変化型メモリ）
https://www.fujitsu.com/jp/group/fsm/products/reram/
■NRAM
http://www.fujitsu.com/jp/group/fsl/resources/news/press-releases/2016/0831.html
| 価格帯 | お問い合わせください |
|---|---|
| 納期 | お問い合わせください |
| 用途／実績例 | システムメモリの用途につきましては、製品紹介ビデオをご覧ください。 |
詳細情報
不揮発性メモリFeRAM （Ferroelectric RAM： 強誘電体メモリ）
従来のEEPROMやフラッシュメモリなどの不揮発性メモリと比較して、高速書込み、高書換え回数、低消費電力という特長があります。
用途：カード分野、産業分野、医療、ウェアラブルデバイス、ロボット、ドローンなど
従来のEEPROMやフラッシュメモリなどの不揮発性メモリと比較して、高速書込み、高書換え回数、低消費電力という特長があります。
用途：カード分野、産業分野、医療、ウェアラブルデバイス、ロボット、ドローンなど
不揮発性メモリ ReRAM（Resistive Random Access Memory： 抵抗変化型メモリ）
金属酸化膜に電圧を印加することにより抵抗を変化させ、高抵抗と低抵抗の状態の違いによって、“0”と“1”のデータを記録します。
読出し電流は業界最小クラス。さらに読出し耐性は無制限のため読出しメインのアプリケーションに最適です。
金属酸化膜に電圧を印加することにより抵抗を変化させ、高抵抗と低抵抗の状態の違いによって、“0”と“1”のデータを記録します。
読出し電流は業界最小クラス。さらに読出し耐性は無制限のため読出しメインのアプリケーションに最適です。
カーボンナノチューブを使った不揮発性メモリ NRAM
組み込み型Flashメモリ比で数千倍の書き換え耐性／書き換えスピードの実現と、将来的には不揮発性メモリによるDRAMの置き換えを目指し、不揮発性メモリ「NRAM」の開発を進めています。
組み込み型Flashメモリ比で数千倍の書き換え耐性／書き換えスピードの実現と、将来的には不揮発性メモリによるDRAMの置き換えを目指し、不揮発性メモリ「NRAM」の開発を進めています。
お問い合わせ
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富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社 本社
