富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社

(2025/1/1よりRAMXEED株式会社に社名変更します)

4MビットFeRAM​「MB85R4M2T」

最終更新日: 2024-06-07 20:59:27.0
SRAMと置き換えが可能な不揮発性メモリ、産業機械や業務機器のバッテリーレス・ソリューションを実現

本製品は、電源を切ってもデータが消えない不揮発性メモリです。汎用SRAMと互換性がある44ピンTSOPパッケージで提供しますので、SRAMを使用している産業機械、業務機器、医用機器では、設計基板を大幅に変更することなく、SRAMを本FeRAM​に置き換えることが可能です。それによって、データ保持用のバッテリが不要になるため、最終製品の基板実装面積の削減、省電力化、そしてトータルコストの削減に貢献します。

■主な仕様
・容量(構成): 4Mビット(256K×16ビット)
・電源電圧: 1.8V~3.6V
・動作温度範囲: -40℃~+85℃
・書き込み/読み出し耐性: 10兆回(10 13回)
・データ保持特性: 10年(+85℃)
・アクセスタイム
アドレスアクセスタイム: 150ns(Min)
/CEアクセスタイム: 75ns(Max)
・動作電流
動作電源電流: 20mA(Max)
スタンバイ電流: 150uA(Max)
スリープ電流: 20uA(Max)
・パッケージ: 44ピンTSOP

基本情報

本製品は、汎用SRAMと互換性のある44ピンTSOPのパッケージを採用したことで、産業機械、業務機器、医用機器などデータ記録用に高速アクセスが必要なSRAMを使用しているアプリケーションにおいて、基板設計を大幅に変更することなく、SRAMを本製品に置き換えることが可能です。さらに、データ保持用のバッテリが不要になるため、最終製品の基板実装面積の削減、省電力化、トータルコストの削減に貢献できます。

価格帯 お問い合わせください
納期 お問い合わせください
型番・ブランド名 MB85R4M2T
用途/実績例 汎用SRAMと互換性のある44ピンTSOPのパッケージを採用したことで、産業機械、業務機器、医用機器などデータ記録用に高速アクセスが必要なSRAMを使用しているアプリケーションにおいて、基板設計を大幅に変更することなく、SRAMを本製品に置き換えることが可能です。

詳細情報

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実装面積の削減
バッテリによってデータ記録をしていた機器において、SRAMを本FeRAM​に置き換えることで、データ保持用のバッテリが不要になります。これによりメモリ部の実装面積を50%以上削減することが可能です。
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消費電力の削減(省電力化)
SRAMを使用しているシステムでは、機器のメイン電源がオフになってもメモリのデータを保持するために、データ保持電流が常に流れています。従って、時間当たり約15μWの消費電力が発生しますが、不揮発性メモリのFeRAM​ではその消費電力がゼロになります。
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トータルコストの削減
FeRAM​への置き換えにより、メモリ部の開発から運用を含めたトータルコストの削減に貢献します。開発時の開発コストでは、バッテリを無くすことによって部品コストを抑えることができます。さらに、機器を数年間使用することを想定すると、SRAM使用時には必要とされていた定期的なバッテリ交換、バッテリ在庫の確保、点検などのメンテナンスにかかる運用コストも不要になります。
従って、このバッテリレス・ソリューションによって、開発コストと運用コストを合わせたトータルコストの削減に寄与することができます。

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