富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社

(2025/1/1よりRAMXEED株式会社に社名変更します)

不揮発性メモリ『MB85R8M2TA』

最終更新日: 2024-06-07 20:59:27.0
100兆回の書込みを保証する8MビットFeRAM​を開発!高速動作と低消費電力を実現

『MB85R8M2TA』は、1.8V~3.6Vのワイドレンジ電源電圧で動作する、
パラレルインターフェースのFeRAM​です。

当社従来品よりもアクセススピードを約30%高速化するとともに、
動作電流を10%削減しており、高速動作と低消費電力を両立。

これまでSRAMが使われていた高速動作を必要とする産業機械に好適です。

【特長】
■高書換え耐性(書換え保証回数が多い)
■高速書込み
■低消費電力
■20年以上の量産実績あり

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

基本情報

【その他の特長】
■1.8V~3.6Vのワイドレンジ電源電圧で動作
■100兆回のデータ書換え回数を保証
■アクセススピードは、高速のページモードを使用することにより最大25nsで動作
■連続したデータ転送をする場合にはSRAMと同等の高速アクセスが可能
■高速化を実現しながら動作時の低消費電力化も実現
■動作電流は最大18mA(従来品よりも10%削減)
■スタンバイ電流は最大150µA(同50%削減)
■48ピンFBGAに加えて、従来の4Mビット品からの置き換えが容易な44ピンTSOPの2種類
■SRAMをご使用中のお客様が新製品の8MビットFeRAM​を採用することで、バッテリーを
 削減できるメリットがある

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用途/実績例 【用途例】
■産業機械

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