ドライブ、トラクション、トランスミッションなどの産業用
アプリケーションの現在および将来の要件に対応するため、
定評ある「IHV-B 3.3kVシングルスイッチIGBTモジュール」が
大幅に改善されました。
TRENCHSTOP IGBT4とEmitter Con-trolled 4ダイオードを搭載。
過負荷や故障に対する比類ない堅牢性を有し、フレームサイズの
小型化が可能です。
【特長】
■標準化されたIHV Bパッケージ190mmまたは130mm
■最高クラスの短絡耐量
■新しい3.3kV IGBT4チップを8インチウェハ技術で実現
■基板レイアウトとチップ面積の最適化
■競合製品やIGBT3に比べ、電源のOn/Off制御が2倍向上
■CTI > 600のパッケージ
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基本情報
【ラインアップ】
■FZ2400R33HE4
・1800Aの競合デバイスに比べ、同じパッケージで、45%の性能向上を実現
■FZ825R33HE4D
・ダイオード容量が増え、インフィニオンや競合メーカーの1000Aデバイスと同じ性能
■FZ1600R33HE4
・1500Aの競合デバイスと比較して、30%の小型化と10%の性能向上を実現
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