株式会社アイテス

分析解析・信頼性評価サービス

FPDのトータルソリューションサービス

最終更新日: 2020/02/13

上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。

フラットパネルディスプレイをさまざまな角度から徹底評価、検証します
■構造解析
・良品解析
・パネル解体
・電気特性測定
・平面・断面観察
・SEM観察
・液晶成分分析
■不良解析
・発光/OBIRCH解析
・微小異物分析
・TOF-SIMS分析
■信頼性試験
・高温高湿バイアス試験
・目視検査と特性評価

関連情報

ラッチアップ試験受託サービス
ラッチアップ試験受託サービス 製品画像
■電流パルス印加法(JEDEC・JEITA・AEC)
■電源過電圧法(JEDEC・JEITA・AEC)
■電圧パルス印加法(AEC)
■ESDパルス印加法(参考試験)
■ラッチアップ判定法(JEDEC方式・電流定義方式)
■試験前後の保護ダイオード特性測定にも対応します。
■ソケット、専用基板等の手配・試験ボード作製にも対応します。

*VCC電源搭載数:4台(100V/0.5A:1台、50V/1A:3台)
         多電源デバイスの対応が可能
*電源過電圧法の最大電圧:150V(VCC電圧+VTパルス電圧⇒最大150V)
ESD(CDM)試験受託サービス
ESD(CDM)試験受託サービス 製品画像
■印加電圧0Vから±4000Vまで、5Vステップ
■最大 1024ピン まで対応します。
■プローブ移動精度:0.1mm
■印加ユニット:JEDEC(JESD22-C101F)、JEITA、EIAJ、AEC
■チャージ法
 FI-CDM:電界誘導法(JEDEC・AEC)
 D-CDM:直接チャージ法(JEITA・EIAJ・AEC)

☆車載向け電子部品規格:AEC-Q100-011の試験サービスを開始
 AEC規格のField Induced CDM(FI-CDM)試験対応が可能です。
 AEC規格のDirect CDM(D-CDM)試験対応が可能です。
クロスビームFIBによる断面観察
クロスビームFIBによる断面観察 製品画像
半導体デバイス、MEMS、TFTトランジスタなど
ナノスケールで製造されるエレクトロニクス製品の構造解析を
クロスビームFIBによる断面観察で行います。

1)FIB加工をリアルタイムで観察できるため目的の箇所を確実に捉えます。
2)2つの二次電子検出器(In-Lens/チャンバーSE)により試料から様々な情報が得られます。
3)加工用FIBと観察用低加速SEMを1つのチャンバーに集約し大気に曝すことなく観察。
4)拡散層:PN界面の可視化が可能。N+/N-及びP+/P-の濃度差は検出不可。
ESD(HBM・MM)試験受託サービス
ESD(HBM・MM)試験受託サービス 製品画像
■HBM試験(C=100pF、R=1.5kΩ)
 ±5~±4500V(Step:5V)
■MM試験(C=200pF、R=0Ω)
 ±5~±2000V(Step:5V)
■単一印加、ステップアップ印加、ピンコンビネーション印加等
 多様な印加条件に対応します。
■破壊判定方法は、保護ダイオード特性評価、IiL/IiH特性評価、
 VoL/VoH特性評価、電源ピンの特性評価の4種類に対応します。
■ソケット、専用基板等の手配・試験ボード作製にも対応します。
信頼性保証サービスのご紹介
信頼性保証サービスのご紹介 製品画像
■高度加速寿命試験
 内寸(最大) Φ545×L550mm
 温湿度範囲 +105~162.2℃/75~100%RH

■冷熱衝撃試験
 内寸(最大) W970×H460×D670mm
 温度範囲 -65℃~0℃/+60℃~200℃

■恒温恒湿試験
 内寸(最大) W1000×H1000×D720mm
 温湿度範囲 -70℃~+150℃/20~98%RH

■液槽冷熱衝撃試験
 試料カゴ(最大) W320×H240×D320mm
 耐荷重(最大) 10kg
 温度範囲 -65℃~0℃/+60℃~150℃
実装部品接合部の解析
実装部品接合部の解析 製品画像
■基板接合部機械研磨
 +化学エッチング
 +イオンミリング
 光学顕微鏡、SEMによる観察

■FIBによる断面作成
 SEMによる観察
TEMによる電子部品・材料の解析
TEMによる電子部品・材料の解析 製品画像
■エミッション発光にて特定した故障部位は
 FIBにより薄片化しながら観察します。

■電子の透過力の大きい加速電圧400kVのTEMにて
 故障部位を試料厚内に閉じ込めた状態での透過観察とFIB加工を繰り返し
 最適な像を得ることができます。

■TEM像倍率をあらかじめ校正しておき
 2%以下の誤差で測長することもできます。
パワーデバイスの故障解析
パワーデバイスの故障解析 製品画像
・パッケージ状態・開封済みチップ・チップ単体・Wafer状態の裏面研磨
 Siチップサイズ:200um~15mm

・IR-OBIRCH解析: ~100mA/10V ~100uA/25V まで対応
         感度:数十pA
         低倍最大視野:6.5mm角

・エミッション解析: ~2kV まで対応
          感度:数nA
          低倍最大視野:6.5mm角

・特定位置精度: ±0.3um、試料厚1.5um~0.1um

・機械研磨SEM観察: 大きな破壊箇所・異物・広範囲の観察

・拡散層観察: TEM試料加工前に不良箇所近傍にて観察可能
       構造により前処理が必要な場合あり

・FIB-SEM観察: クラック・形状異常・拡散層観察(~×50k)

・断面TEM観察: ゲート酸化膜の破壊・転位(~400k)
 
ESD/ラッチアップ試験受託サービス
ESD/ラッチアップ試験受託サービス 製品画像
半導体デバイスやそれを含む電子部品の信頼性として重要な、ESD破壊およびラッチアップによる破壊に対する耐性を評価する試験サービスを提供します。

■ 512ピンまでのICモジュール、電子部品、サブシステムなどの製品に対応します。
■ JEDEC、EIAJ、ESDAなどの規格に準拠した試験を提供します。
■ お客様のご要望や目的にあった試験をご提案、実施します。
■ 万一耐性に問題があった場合は、故障解析/原因究明から問題解決までのお手伝いをします。
In-Situ常時測定 信頼性評価試験サービス
In-Situ常時測定 信頼性評価試験サービス 製品画像
In-Situ常時測定 信頼性評価試験では、特性を測定しながら、ストレスを印加し信頼性評価試験を行います。

●正確な故障時間の把握が可能
 決まった時間にストレス環境より取り出して測定するリードアウト方式では、リードアウトのタイミングでしか故障の把握ができず、正確な故障発生時間を知ることはできません。
 In-Situ測定では、正確な故障時間の把握ができます。
●回復性故障の検出が可能
 回復性故障は市場において重大な問題を引き起こすことがあります。
 リードアウト方式ではこれら回復性故障の検出がほとんどの場合不可能ですが、In-Situ測定では回復性故障の検出が可能であり、正確な判断/判定ができます。
●試料へのストレス印加状態の監視が可能
 ストレス印加状況および測定データをリアルタイムで確認できます。
品質技術トータルソリューション
品質技術トータルソリューション 製品画像
電子部品の企画・設計・開発段階から、量産、出荷後に至るまで、あらゆるフェーズで発生する品質問題に、長く培われた技術と経験をもとにスピーディーで的確なソリューションを提供します。
パワーデバイスのトータルソリューションサービス
パワーデバイスのトータルソリューションサービス 製品画像
■パワーデバイスの信頼性試験
・パワーサイクル試験
 定電流600A max.(Vce=10V)
 同時に熱抵抗測定も可能
・180℃対応 液槽熱衝撃試験
 温度範囲 -65℃~150℃、-40℃~180℃
 液媒体 Galden D02TS/D03
 試料かご(最大) W320xH240xD320(mm)
・パワーデバイスアナライザによる特性評価
 最大電圧 3000V、最大電流 20A
 小型の部品からパワーデバイスまで幅広く対応
・絶縁性評価イオンマイグレーション試験
 高温高湿環境下で、実使用条件より高い電圧を印加して加速試験を実施
 パワーデバイスの保証寿命範囲内でマイグレーションが発生しないことを確認する試験
・高温逆バイアス/ゲートバイアス試験
 高温高湿環境下の絶縁抵抗値の連続モニター
 チャネル数 120チャネル
■パワーデバイスの分析・解析
・パワーチップの故障解析
・はんだ接合部の解析
・極低加速特殊SEMによるAlワイヤーのグレイン観察
・半導体・パッケージ剥離部の非破壊観察
海外製部品・製品 評価サービス
海外製部品・製品 評価サービス 製品画像
■信頼性試験
・温度サイクル試験
・冷熱衝撃試験
・高温高湿バイアス試験
・高温保存試験
・高度加速寿命試験
・プリコンディション
・ホットオイル試験
・In-situ常時測定
・イオンマイグレーション試験
・エレクトロマイグレーション試験

■評価試験
・接合強度試験
 プル/シェア試験
・機械的強度試験
 振動・衝撃試験、落下試験、圧縮強度・ズレ強度
・ESD/Latch Up/CDM試験
・はんだ濡れ性試験
・電気特性計測
・塩水噴霧試験
・X線透過観察
・SAT(超音波顕微鏡)観察
【資料】液晶材料とその分析技術
【資料】液晶材料とその分析技術 製品画像
【その他の掲載内容】
■LCP分子構造解説(一例)
■アイテス保有のGC-MS装置
■低分子液晶
■低分子液晶構造解説(一例)
■GC-MS分析による低分子液晶(for LCD)のTICデータ、および検出物質
■液晶構造機能解説

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
顕微ラマンによる多層材料分析
顕微ラマンによる多層材料分析 製品画像
【分析事例】
■液晶パネルに使用されている偏光板は、トリアセチルセルロース層で
 ポリビニルアルコール(PVA)にヨウ素を添加した層を挟んだ構造
■顕微ラマン分光光度計にて偏光板を深さ方向に連続して測定したところ、
 表面から深さ方向に向かってTAC→PVA+I2→TAC→粘着層と変化する様子が観察できた

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
LCDパネル良品解析
LCDパネル良品解析 製品画像
【解析内容(抜粋)】
<光学観察>
■分類
・パネルLCM/Cell
・Cell解体後の光学観察
■評価項目
・COG接合/FOG接合
・SEG-LCD_PIN接合
・引き出し配線/周辺回路
・セルシール
・表示部
・TFT/CF構造
■分析手法
・OM観察

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
液晶パネルの不良解析
液晶パネルの不良解析 製品画像
【対象パネル】
■セグメント液晶
■パッシブ液晶
■アクティブTFT液晶(車載,モバイル,TV,etc)

【ご用意いただくもの】
■不良パネル
■点灯冶具(パネル表示不良写真でもOK)
■Refパネル(ご提供可能であれば)

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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