株式会社アイテス

2024-11-06 00:00:00.0
パワーデバイス故障箇所・Slice&View 三次元再構築

製品ニュース   掲載開始日: 2024-11-06 00:00:00.0

FIB-SEMのSlice&View機能を用いた、故障箇所の三次元再構築について
ご紹介いたします。

構造物の連続SEM画像を取得し、得られた像を三次元構築ソフト(Avizo)で、
SEM画像間のパターンの位置ズレを補正し立体的に可視化。

故障箇所に対して断面出しをする位置特定技術とSlice&View機能を
組み合わせることで不良状態を保持して異常部前後の情報を含めた
連続SEM画像を取得することができます。

関連製品情報

パワーデバイスのトータルソリューションサービス
パワーデバイスのトータルソリューションサービス 製品画像
パワーデバイスをあらゆる角度から徹底評価、検証します

■解決する力  知識と技術でかいけつに導くコンサルティング  スピード対応でお客様スケジュールを支援 ■つきとめる力  故障個所をピンポイントし可視化する技能  深い洞察力と高度かつ繊細な試料加工技術 ■特化した設備  最高180℃での液槽熱衝撃試験  パワー半導体に必須のパワーサイクル試験
パワーデバイスの故障解析
パワーデバイスの故障解析 製品画像
ダイオード、MOS-FET、IGBT等のパワーデバイスの不良箇所特定・観察を行います。

あらゆるサイズ・形状のダイオード・MOS FET・IGBT等の パワーデバイスに対し最適な前処理を行い 裏面IR-OBIRCH解析や裏面発光解析により不良箇所を特定し観察いたします。 ■解析の前処理-裏面研磨-  各種サンプル形態に対応します。  Siチップサイズ:200um~15mm角 ■不良箇所特定-裏面IR-OBIRCH解析・裏面エミッション解析-  IR-OBIRCH解析:~100mA/10V ~100uA/25V まで対応  エミッション解析:~2kV まで対応  *低抵抗ショート、微小リーク、高電圧耐圧不良など幅広い不良特性に対応 ■リーク箇所のピンポイント断面観察-SEM・TEM-  予測される不良に合わせてSEM観察・TEM観察を選択し  リーク不良箇所をピンポイントで物理観察/元素分析を実施可能
クロスビームFIBによる断面観察
クロスビームFIBによる断面観察 製品画像
FIB加工をリアルタイムで観察しながら断面観察が可能です。

半導体デバイス、MEMS、TFTなどナノスケールの精度で製造される エレクトロニクス製品の構造解析を行うための新たな手法: クロスビームFIBにより断面観察をご提案いたします。
FIB-SEMによる半導体の拡散層観察
FIB-SEMによる半導体の拡散層観察 製品画像
他手法より短納期!FIB-SEMによる形状観察と、拡散層観察の両方を実施できます!

当社では、『FIB-SEMによる半導体の拡散層観察』を行っております。 FIB法による断面作製とSEM観察によって半導体の拡散層を可視化、 形状評価を行いました。 SEMのInlens 検出器によって内蔵電位の違いを可視化した事例では 内蔵電位によりN型とP型領域で発生する二次電子のエネルギーに差が発生。 それによって生まれる軌道の差をSEMの検出器で検出します。 【特長】 ■FIB-SEMによる形状観察と、拡散層観察の両方を実施することが可能 ■他手法より短納期で対応 ■濃度は10E16まで検出可能 ■PN界面が可視化されるが、N+/N-,及びP+/P-の濃度差は検出不可 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
パワー半導体の解析サービス
パワー半導体の解析サービス 製品画像
故障箇所→拡散層評価を含めた物理解析/化学分析までスルー対応いたします!

株式会社アイテスでは、パワー半導体の解析サービスを承っております。 当社は日本IBM野洲事業所の品質保証部門から1993年に分離独立して以来、 独自の分析・解析技術を培ってきました。 Si半導体だけでなく、話題のワイドバンドギャップ半導体も対応可能です。 【特長】 ■OBIRCH解析ではSiだけでなく、SiCやGaNデバイスにも対応 ■表裏どちらからでもFIB加工可能 ■PN接合部に形成された空乏層を可視化 ■EDS、EELS分析といった元素分析も対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
FIB-SEM Helios 5 UC 導入のお知らせ
FIB-SEM Helios 5 UC 導入のお知らせ 製品画像
ソフトマテリアルの断面作製も実現!Auto Slice&Viewで3D再構築も可能です!

『FIB-SEM Helios 5 UC』の導入により、11月よりサービス開始予定! 今までより短納期、確実なフィードバックをご提供いたします。 パワーデバイスやIC、太陽電池や受発光素子といった半導体デバイスや MLCCなどの電子部品からソフトマテリアルといった多岐にわたる硬軟材料の 断面観察・分析を高スループットで実現。 最大100nAの質の良いビームにより、大面積を高速加工できるほか、 FIBを低加速で仕上げることによりダメージ層の少ない高品質の試料作製が 可能です。 【Helios 5 UCの主な特長】 ■高速・大面積FIB加工 ■低加速仕上げによるダメージ層低減 ■Cryo-FIB加工 ■3Dイメージング ■TEM試料加工の完全自動化 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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