LV-SEMとEBIC法によるSiC MOSFETの拡散層の観察
SiCパワーデバイスでも、特定箇所の断面作製、拡散層の形状観察、さらに配線構造、結晶構造解析まで一貫対応が可能です!
最終更新日:
2020-11-16 11:41:25.0
クロスセクションポリッシャー(CP)法による断面観察サービス
高い加工精度と広い加工領域を実現!冷却機能でダメージを軽減しながらの加工も可能です
最終更新日:
2020-08-06 13:06:01.0
【化学反応機構研究所】製造過程の材料特性に悩んでいる方必見!
表面のこの変色の理由は?なぜこんな所にヒビが入っているの?等の課題は、電子、原子、分子、化学反応メカニズムの視点で解決します!
最終更新日:
2020-07-31 09:48:06.0