密閉式チャンバー内で、ウェハを成膜面を下に向け裏面を吸着した状態で加熱させ、プロセスガスを下部より吹き上げながら成膜するFace-down成膜方式の採用により、低パーティクルで安全かつ高品質な成膜を実現しました。特許取得済のウェハ反り矯正機能により、SiCウェハの様な反りの大きなウェハでも確実に吸着でき、優れた膜厚均一性を得ることが可能です。
ウェハ周辺の副反応生成物の付着を低減させた構成にすることで、メンテナンス性（低負荷かつ長周期）を向上させています。
コンパクトな筐体サイズで、隣接設置も可能なので、フットプリントを最小化することができます。
●装置サイズ(mm): 890(W) x 2300(D) x 2250(H)
●ガス種: SiH4/O2系 (SiH4/PH3/B2H6/O2/N2)
TEOS/O3系 (TEOS/TMOP/TEB/O3/O2/N2)(オプション)
●成膜温度: 350～450℃
※詳しくはお問い合わせいただくか、カタログをダウンロードしてご覧ください。
ウェハ周辺の副反応生成物の付着を低減させた構成にすることで、メンテナンス性（低負荷かつ長周期）を向上させています。
コンパクトな筐体サイズで、隣接設置も可能なので、フットプリントを最小化することができます。
●装置サイズ(mm): 890(W) x 2300(D) x 2250(H)
●ガス種: SiH4/O2系 (SiH4/PH3/B2H6/O2/N2)
TEOS/O3系 (TEOS/TMOP/TEB/O3/O2/N2)(オプション)
●成膜温度: 350～450℃
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