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![パワーデバイス.jpg](https://images.ipros.jp/public/premium/image_category/099/387108/IPROS149406763782833838.jpg?w=100&h=100)
【分析事例】パワーデバイス
パワーデバイスの分析事例をご紹介します
![c0184.jpg](https://images.ipros.jp/public/catalog/image_generated/01/f48/210197/210197_IPROS2135801378089178858_1.jpg?w=100&h=100)
![C0002_極薄SiON膜の組成・膜厚評価.jpg](https://images.ipros.jp/public/catalog/image/01/e0d/210262/IPROS20972358062892723280.jpeg?w=100&h=100)
![c0154.jpg](https://images.ipros.jp/public/catalog/image_generated/01/867/210221/210221_IPROS4393181250002903218_1.jpg?w=100&h=100)
![C0394_SiC表面の結合状態・膜厚評価.jpg](https://images.ipros.jp/public/catalog/image/01/fd4/335525/IPROS96125273122693251001.jpeg?w=100&h=100)
![C0322_水素注入サンプルのSRA_SIMS評価事例.jpg](https://images.ipros.jp/public/catalog/image/01/495/334990/IPROS74589917788208244235.jpeg?w=100&h=100)
![c0310.jpg](https://images.ipros.jp/public/catalog/image/01/39b/334954/IPROS3423498077879419942.jpg?w=100&h=100)
![c0292.jpg](https://images.ipros.jp/public/catalog/image/01/c6b/334953/IPROS6627451355380541794.jpg?w=100&h=100)
![C0291_SIMS・SCM・TEMによるSiCパワーMOSFETの活性層評価.jpg](https://images.ipros.jp/public/catalog/image/01/2a6/334823/IPROS23490019163000192216.jpeg?w=100&h=100)
![c0298.jpg](https://images.ipros.jp/public/catalog/image/01/3ba/334753/IPROS346150606312769678.jpg?w=100&h=100)
![C0284_SiC基板におけるSSDP-SIMS分析.jpg](https://images.ipros.jp/public/catalog/image/01/ef6/334716/IPROS17266824293496849887.jpeg?w=100&h=100)
![c0281.jpg](https://images.ipros.jp/public/catalog/image/01/912/334710/IPROS6253915519104732463.jpg?w=100&h=100)
![c0256.jpg](https://images.ipros.jp/public/catalog/image/01/4b3/334695/IPROS311240384643880250.jpg?w=100&h=100)
![c0254.jpg](https://images.ipros.jp/public/catalog/image/01/07c/334607/IPROS6225395964720680096.jpg?w=100&h=100)
【分析事例】SiC Schottky Barrier Diodeのフォトルミネッセンスマッピング測定
SiC中積層欠陥の検出事例
最終更新日:
2016-03-09 14:45:22.0技術資料・事例集
![C0250.jpg](https://images.ipros.jp/public/catalog/image/01/75a/333695/IPROS2951223774340621010.jpg?w=100&h=100)
![C0249.jpg](https://images.ipros.jp/public/catalog/image/01/12a/333691/IPROS695027548296713044.jpg?w=100&h=100)
![C0247.jpg](https://images.ipros.jp/public/catalog/image/01/e0f/333688/IPROS8465960026781905502.jpg?w=100&h=100)
![C0252.jpg](https://images.ipros.jp/public/catalog/image/01/1a7/333664/IPROS2467688763859276970.jpg?w=100&h=100)
![c0183.jpg](https://images.ipros.jp/public/catalog/image_generated/01/a8c/210198/210198_IPROS8296403375117928315_1.jpg?w=100&h=100)
![c0289.jpg](https://images.ipros.jp/public/catalog/image/01/a25/334720/IPROS2491034340471351485.jpg?w=100&h=100)
![C0269_化合物積層構造試料のSIMS分析.jpg](https://images.ipros.jp/public/catalog/image/01/c12/334703/IPROS19967209626373389615.jpeg?w=100&h=100)
![c0439.jpg](https://images.ipros.jp/public/catalog/image/01/bb4/357029/IPROS2120569670430523854.jpg?w=100&h=100)
![c0440.jpg](https://images.ipros.jp/public/catalog/image/01/6c0/355165/IPROS5407787901855916126.jpg?w=100&h=100)
![c0434.jpg](https://images.ipros.jp/public/catalog/image/01/d32/349120/IPROS7345426172157653475.jpg?w=100&h=100)
【分析事例】イオン注入及びアニール処理を行ったSiの低温フォトルミネッセンススペクトル
照射欠陥やアニールによる結晶性の回復を確認することが可能です
最終更新日:
2016-07-29 13:36:15.0技術資料・事例集
![c0416.jpg](https://images.ipros.jp/public/catalog/image/01/4f2/338791/IPROS7131065328425391968.jpg?w=100&h=100)
![c0421.jpg](https://images.ipros.jp/public/catalog/image/01/7e1/338778/IPROS8112160198559289712.jpg?w=100&h=100)
![C0410_高電子移動度トランジスタの評価.jpg](https://images.ipros.jp/public/catalog/image/01/11a/335826/IPROS40245419324556860976.jpeg?w=100&h=100)
![C0409_ABF-STEM像によるGaNの極性評価.jpg](https://images.ipros.jp/public/catalog/image/01/633/335821/IPROS09954564476560895596.jpeg?w=100&h=100)
![b0214.jpg](https://images.ipros.jp/public/catalog/image/01/514/335532/IPROS3540845505500124027.jpg?w=100&h=100)
![b0210.jpg](https://images.ipros.jp/public/catalog/image/01/1a6/335422/IPROS45514099279160134446.jpeg?w=100&h=100)
![C0383_ウエットエッチングによる有機付着物除去.jpg](https://images.ipros.jp/public/catalog/image/01/305/335365/IPROS23107648182936016829.jpeg?w=100&h=100)
![b0208.jpg](https://images.ipros.jp/public/catalog/image/01/23b/335344/IPROS166916798121912984.jpg?w=100&h=100)
![c0354.jpg](https://images.ipros.jp/public/catalog/image/01/66b/335303/IPROS8137452056167939398.jpg?w=100&h=100)
![b0194.jpg](https://images.ipros.jp/public/catalog/image/01/ece/335103/IPROS2887031742129039850.jpg?w=100&h=100)
![b0197.jpg](https://images.ipros.jp/public/catalog/image/01/b56/335099/IPROS69820108368390641274.jpeg?w=100&h=100)
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![c0286.jpg](https://images.ipros.jp/public/catalog/image/01/a55/334699/IPROS220288198950014022.jpg?w=100&h=100)
![c0285.jpg](https://images.ipros.jp/public/catalog/image/01/8e8/334698/IPROS1380203261589991348.jpg?w=100&h=100)
![C0280_SiC基板の品質評価.jpg](https://images.ipros.jp/public/catalog/image/01/13c/334696/IPROS77783990163959754524.jpeg?w=100&h=100)
![c0251.jpg](https://images.ipros.jp/public/catalog/image/01/a8c/334693/IPROS8414471342007927826.jpg?w=100&h=100)
![c0248.jpg](https://images.ipros.jp/public/catalog/image/01/5b4/334636/IPROS6207553116828601953.jpg?w=100&h=100)
![C0267_SSDP-SIMSによるSi基板へのAl,Gaの拡散評価.jpg](https://images.ipros.jp/public/catalog/image/01/ba6/334635/IPROS45683494058701876967.jpeg?w=100&h=100)
【分析事例】SSDP-SIMSによるSi基板へのAl,Gaの拡散評価_C0267
SSDP-SIMSによる高濃度層の影響を避けた測定
最終更新日:
2021-05-28 17:09:48.0技術資料・事例集
![C0266_特殊形状試料のSIMS測定.jpg](https://images.ipros.jp/public/catalog/image/01/5ce/334625/IPROS32963134302969716210.jpeg?w=100&h=100)
![C0279_Si自然酸化膜の膜厚評価.jpg](https://images.ipros.jp/public/catalog/image/01/595/334621/IPROS75725532068541659755.jpeg?w=100&h=100)
![C0230.jpg](https://images.ipros.jp/public/catalog/image/01/3e7/333632/IPROS7091402142554460099.jpg?w=100&h=100)
![c0443.jpg](https://images.ipros.jp/public/catalog/image/01/5cb/364339/IPROS6647405525166754641.jpg?w=100&h=100)
![c0401.jpg](https://images.ipros.jp/public/catalog/image/01/6bb/335782/IPROS7129411669311890996.jpg?w=100&h=100)
【分析事例】SiC Planer Power MOSFETのSCMおよびSMMによる拡散層評価
SiCデバイスの拡散層のp/n極性とキャリア濃度分布を評価できます
最終更新日:
2017-03-01 10:35:33.0技術資料・事例集
![C0462_酸化・窒化薄膜のバンドギャップ評価.jpg](https://images.ipros.jp/public/catalog/image/01/eba/369536/IPROS76187887167628431145.jpeg?w=100&h=100)
![b0232.jpg](https://images.ipros.jp/public/catalog/image/01/4fa/371294/IPROS3162385708386731216.jpg?w=100&h=100)
![c0472.jpg](https://images.ipros.jp/public/catalog/image/01/f94/379887/IPROS3767216789808130509.jpg?w=100&h=100)
![c0384.jpg](https://images.ipros.jp/public/catalog/image/01/1e1/335370/IPROS5222097239660974286.jpg?w=100&h=100)
![](https://images.ipros.jp/public/default/object/noimage_l.gif?w=100&h=100)
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![c0501.jpg](https://images.ipros.jp/public/catalog/image/01/585/401698/IPROS847523147551117520.jpg?w=100&h=100)
![b0240.jpg](https://images.ipros.jp/public/catalog/image/01/7b0/403332/IPROS6085189076046014351.jpg?w=100&h=100)
![b0243.jpg](https://images.ipros.jp/public/catalog/image/01/026/423214/IPROS8553444152244196544.jpg?w=100&h=100)
![B0245_クリーンルーム内有機化合物の評価方法.jpg](https://images.ipros.jp/public/catalog/image/01/433/452913/IPROS228278616866364388.jpg?w=100&h=100)
![C0522_ラマンマッピングによる応力評価.jpg](https://images.ipros.jp/public/catalog/image/01/ca3/452943/IPROS47738652721554492.jpg?w=100&h=100)
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