一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

【分析事例】SIMS・SCM・TEMによるSiCパワーMOSFETの活性層評価_C0291

最終更新日: 2023-04-04 10:16:38.0

上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。

カタログ発行日:2023/04/04
活性層の形状とドーパントを評価
市販のSiCパワーMOS FET素子領域で拡散層分布を評価した事例をご紹介します。
SiC MOSFET製造プロセスでは、イオン注入と活性化熱処理、エピタキシャル層形成などによってチャネル形成します。活性層形成プロセスにおいて、TEM観察からデバイス構造を把握し、SCM測定からp型/n型の断面の拡散層分布やエピタキシャル層、SIMS測定からドーパント元素(N,Al,P)の深さ濃度分
布を評価しました。

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