一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

【分析事例】高電子移動度トランジスタの評価_C0410

最終更新日: 2023-04-10 16:13:47.0

上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。

カタログ発行日:2023/04/10
Csコレクタ付STEMにより結晶整合性および組成分布の評価が可能
GaN系高電子移動度トランジスタ「GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor)」は、AlGaN/GaNヘテロ構造によって二次元電子ガス層が得られ、電子移動度が高くなります。
本資料では、市販のGaN HEMTデバイスを解体し評価した事例をご紹介します。
HAADF-STEMにより、AlGaN/GaN界面近傍の結晶整合性を確認しました。また、EELSにより組成分布の評価を行いました。

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