![第一原理計算によるワイドギャップ半導体GaNにおける欠陥準位解析 製品画像](https://images.ipros.jp/public/product/image/3bb/2000774711/IPROS28645233018869670054.png?w=140&h=140)
詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。
上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。
カタログ発行日:2022/12/08 点欠陥の形成エネルギー、電荷、光学遷移など様々な物性情報が得られます ワイドギャップ半導体である窒化ガリウム(GaN)は主にパワーデバイスの分野で用いられ、近年では急速充電器や5G通信基地局用途としての需要が高まっています。高信頼性を有するGaNの開発にあたっては、結晶中の欠陥量の低減や欠陥がもたらす電気/光学特性などへの影響の理解が重要です。本資料では第一原理計算を用いてGaN中の窒素欠損(VN)が形成する欠陥準位の解析を行った事例を紹介します。本解析は欠損だけでなく、元素の置換など結晶材料中の様々な点欠陥に対して適用可能です。
※お問い合わせをすると、以下の出展者へ会員情報(会社名、部署名、所在地、氏名、TEL、FAX、メールアドレス)が通知されること、また以下の出展者からの電子メール広告を受信することに同意したこととなります。
一般財団法人材料科学技術振興財団 MST