一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

【分析事例】ノーマリーオフ型 GaN HEMT 二次元電子ガス層評価_C0702

最終更新日: 2023-11-30 11:55:59.0

上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。

カタログ発行日:2023/11/30
製品調査の複合解析をワンストップでご提案可能です
GaN系高電子移動度トランジスタ「GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor)」は、AlGaN/GaNヘテロ構造によって二次元電子ガス層(2DEG)が得られ、電子移動度が高くなります。その特性を用いて急速充電器などで活用されています。
本資料では、ノーマリーオフ型のGaN HEMTデバイスを解体・評価しました。
分析手法を複合的に活用し、試料の総合的な知見を収集した事例をご紹介いたします。

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