一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

【分析事例】SiCパワートランジスタリーク箇所の成分分析_C0711

最終更新日: 2024-05-23 15:48:55.0

上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。

カタログ発行日:2024/05/23
Slice&Viewで特定したゲート破壊箇所で拡大観察やEDX分析が可能
裏面エミッション顕微鏡でリーク箇所を特定したSiCトランジスタについてSlice&Viewを行い、破壊を確認した箇所で拡大観察とSEM-EDX分析を行いました。反射電子像で明るいコントラストが見られる場所では、SiやNiの偏析が確認されました。リークによる破壊に伴い、SiやNiなどが一部偏析しているものと考えられます。

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