【基本仕様】
■搭載精度:XY:±5[μm],θ:±1[deg](±3σ)
■対象ワーク
・基板供給形態:8inch wafer,12inch wafer
・ダイサイズ(基板側):MAX□2.5(mm)
・チップ供給形態:6/8 inch wafer
・チップサイズ:□0.15∼□1(mm)
■加圧荷重:0.2~1(N)
■外形寸法:1600Wx1920Dx1700H(mm)
■重量:2100(kg)
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
■搭載精度:XY:±5[μm],θ:±1[deg](±3σ)
■対象ワーク
・基板供給形態:8inch wafer,12inch wafer
・ダイサイズ(基板側):MAX□2.5(mm)
・チップ供給形態:6/8 inch wafer
・チップサイズ:□0.15∼□1(mm)
■加圧荷重:0.2~1(N)
■外形寸法:1600Wx1920Dx1700H(mm)
■重量:2100(kg)
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。