日星産業株式会社

CVD、IBDの成膜装置

最終更新日: 2024-05-23 10:27:23.0
ヨーロッパ 発の技術!Leuven instruments装置の日本国内代理店 実験~量産に対応できる堆積式の成膜機種

・Shale Cシリーズ:ICP CVD(誘導結合プラズマCVD)
低温条件(<120℃)で緻密な成膜を実現可能
プラズマによる損傷を低減でき、漏れ電流を抑える
高アスペクト比の穴埋めに適用

・Shaleシリーズ:PE CVD(プラズマCVD)
2周波数のプラズマ源を搭載、SiNx製膜の応力を幅広く制御可能

・Ganistarシリーズ:IBD(イオンビーム堆積)
低温低圧条件で緻密で高品質な成膜が可能
ダブルイオン源構造となり、高精度な制御が可能
Real-timeでスペクトル分析機能を備える
同一チャンバーでIBD、IBEを両立

基本情報

低価格、短納期で様々なニーズに応える

価格帯 1000万円 ~ 5000万円
納期 お問い合わせください
用途/実績例 SiO2、SiNx、SiONなど多様な成膜に適用

詳細情報

icp-cvd.png
Shale Cシリーズ:ICP-CVD装置
PECVD.png
Shaleシリーズ:PECVD装置
IBD.png
Ganistarシリーズ:IBD装置

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