【仕様(一部)】
■PECVD装置
・SiN3膜形成
・SiO2膜形成
・サンプルサイズ最大240mm
■スパッタ装置
・金属膜
・有機膜
・サンプルサイズ最大150mm
■反応性イオンエッチング装置
・表面処理
・故障解析
・サンプルサイズ最大200mm
※英語版カタログをダウンロードいただけます。
※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
■PECVD装置
・SiN3膜形成
・SiO2膜形成
・サンプルサイズ最大240mm
■スパッタ装置
・金属膜
・有機膜
・サンプルサイズ最大150mm
■反応性イオンエッチング装置
・表面処理
・故障解析
・サンプルサイズ最大200mm
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