株式会社クオルテック

【資料】半導体デバイスの電気的破壊試験と故障解析

最終更新日: 2022-11-24 11:28:46.0
IGBTに対してEOS破壊とESD破壊による故障再現実験を実施!解析手順などをご紹介

当資料は、半導体デバイスの電気的破壊試験と故障解析について
ご紹介しております。

「非破壊解析」では、X線透視や超音波探傷などを写真を用いて解説。
この他にも、「電気的特性」では図表と共にご紹介しております。

ぜひ、ご一読ください。

【掲載内容】
■本発表の目的
■サンプルについて
■解析手順
■EOS破壊サンプルの作製
■外観と電気的特性の測定

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

基本情報

【その他の掲載内容(抜粋)】
■非破壊解析(1) X線透視
■非破壊解析(2) 超音波探傷
■開封と外観観察
■断面研磨(断面観察)
■FE-SEM/EDSによる断面解析
■EOS破壊試験のまとめ

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