『wafer level burn-in』は、GaN、SiCデバイスをウェーハでバーンインでき、パワーモジュールの検査ロースを大幅にカットできる設備です。
最大6枚、または12枚のウエハーの同時バーンインに対応できます。
また、治具ごとに独立でburn-in条件設定が可能。完全なハードウェアで
各回路を保護します。
【特長】
■GaN、SiCウェーハのバーンインに好適
■治具ごとに独立でburn-in条件設定が可能
■ウェハー上のすべてのチップを同時に電源投入してバーンイン可能
■HTGB電圧±75V、HTRB電圧2000V(アップグレード可)
■Igss、Idss、Vth、Idson検査に対応
■温度範囲 RT-200C
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基本情報
パラメータ 仕様
適用製品 GaN、SiC Wafer
適用パッケージング 4インチ、6インチ Wafer
バーンインパラメータ HTGB、HTRB
テストパラメータ Igss、Idss、Vth
システムサイズ (mm) 2100(W) X 1900(H) X 1800(D)
システムの消費電力 <32 kW
窒素防護 >0.6 mPa
温度範囲 常温-175 ℃
電圧範囲 ゲート±75 V、ソース2000 V
システムチャンネル 720
システム層数 6層
電流・電圧オーバーシュート いずれの場合にもオーバーシュートはありません
MESドッキング MESドッキングに対応
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