Semi Next株式会社

パワーデバイス『ウエハーレベル バーンイン』

最終更新日: 2024-05-24 16:23:09.0
完全なハードウェアで各回路を保護!最大6枚、または12枚のウエハーの同時バーンインに対応

『wafer level burn-in』は、GaN、SiCデバイスをウェーハでバーンインでき、パワーモジュールの検査ロースを大幅にカットできる設備です。

最大6枚、または12枚のウエハーの同時バーンインに対応できます。
また、治具ごとに独立でburn-in条件設定が可能。完全なハードウェアで
各回路を保護します。

【特長】
■GaN、SiCウェーハのバーンインに好適
■治具ごとに独立でburn-in条件設定が可能
■ウェハー上のすべてのチップを同時に電源投入してバーンイン可能
■HTGB電圧±75V、HTRB電圧2000V(アップグレード可)
■Igss、Idss、Vth、Idson検査に対応
■温度範囲 RT-200C


※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

基本情報

 パラメータ          仕様
適用製品          GaN、SiC Wafer
適用パッケージング     4インチ、6インチ Wafer
バーンインパラメータ  HTGB、HTRB
テストパラメータ    Igss、Idss、Vth
システムサイズ (mm)      2100(W) X 1900(H) X 1800(D)
システムの消費電力     <32 kW
窒素防護           >0.6 mPa
温度範囲           常温-175 ℃
電圧範囲           ゲート±75 V、ソース2000 V
システムチャンネル      720
システム層数         6層
電流・電圧オーバーシュート   いずれの場合にもオーバーシュートはありません
MESドッキング MESドッキングに対応

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