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パラメータ 仕様
適用製品 GaN、SiC Wafer
適用パッケージング 4インチ、6インチ Wafer
バーンインパラメータ HTGB、HTRB
テストパラメータ Igss、Idss、Vth
システムサイズ (mm) 2100(W) X 1900(H) X 1800(D)
システムの消費電力 <32 kW
窒素防護 >0.6 mPa
温度範囲 常温-175 ℃
電圧範囲 ゲート±75 V、ソース2000 V
システムチャンネル 720
システム層数 6層
電流・電圧オーバーシュート いずれの場合にもオーバーシュートはありません
MESドッキング MESドッキングに対応
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適用製品 GaN、SiC Wafer
適用パッケージング 4インチ、6インチ Wafer
バーンインパラメータ HTGB、HTRB
テストパラメータ Igss、Idss、Vth
システムサイズ (mm) 2100(W) X 1900(H) X 1800(D)
システムの消費電力 <32 kW
窒素防護 >0.6 mPa
温度範囲 常温-175 ℃
電圧範囲 ゲート±75 V、ソース2000 V
システムチャンネル 720
システム層数 6層
電流・電圧オーバーシュート いずれの場合にもオーバーシュートはありません
MESドッキング MESドッキングに対応
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