上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。
独自開発プロセスで各種メタルのナノレベルのエッチングに対応。
Ａｌ、Ｃｒ、などのメタルだけでなくサファイア基板・ＧａＡｓなどの化合物半導体基板のエッチングにも実績。
マルチチャンバタイプにも拡張が容易でダメージレスハイレートアッシング室（ＳＷＰアッシング室）の装備で本格量産用プラズマエッチング装置にグレードアップ
関連情報
ICPメタルエッチング装置
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【仕様】
■ハード構成：ロードロック式 ロードロック室 エッチング室各１室構成
※量産用 マルチチャンバタイプもラインアップ
■処理基板：～φ８インチウェハ形状品（矩形基板対応可能）
■基板材質：Si、ガラス、化合物半導体基板（GaAS、サファイア）等
■エッチング対象：各膜種 Al系（AlSi、AlSiCu）・Cr等
：各基板 GaAS・サファイア等
■対象プロセス ：各種薄膜エッチング等
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ICPプラズマエッチング装置『SERIO』
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【仕様】
■ハード構成：ロードロック式 ロードロック室 エッチング室各1室構成
※量産用 マルチチャンバタイプもラインアップ
■処理基板：～φ8インチウェハ形状品（矩形基板対応可能）
■対応基板：Si、石英、セラミックス（アルミナ、AlTiC等）ガラス、
圧電体（LT，LN）等
■エッチング対象：基板Si、石英、
各膜種 Si系(SiO2、SiN)・有機膜 等
■対象プロセス：Si深掘り、SiN犠牲層形成、各種薄膜エッチング等
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
バッチタイプＳＷＰアッシング装置
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φ３００ｍｍの処理ステージを装備。小型基板の一括処理に対応。
レジスト・ポリイミド等有機膜・有機物の除去にＯ２によるハイレートアッシング。
基板上の有機物除去以外に基板の酸化にも対応可能。
オプションにてＨ２ガスの使用により、半田の表面酸化膜の除去も可能。
ウェハ・基板のバンプ・パッドのの表面酸化膜除去・還元クリーニングに効果
オプションにて大型ステージ（４００×５００ｍｍ）対応可能
枚葉式プラズマアッシング装置（ＳＷＰシリーズ）
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８インチ対応の枚葉式プラズマアッシング装置。
高密度表面波プラズマ源装備アッシング室２室装備。枚葉式ロードロック室１室装備。マルチチャンバタイプ。
コンパクトな設置寸法でハイスループットを実現。豊富なオプション類（ＲＩＥ室・ＩＣＰ室・加熱・冷却室・追加ガス系）による通常のアッシング岳でなく。マルチステップアッシング・各種有機膜エッチング・エッチング／アッシング複合装置として多くの用途・プロセスに対応
大型プラズマエッチング装置
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標準５００ｍｍ□のステージを装備したバッチタイプ平行平板型プラズマエッチング装置。
高周波プラズマを標準とし電極の切替によりRIE・プラズマエッチングのどちらのモードにも対応。
Ｆ系ガスによるエッチング・アッシングを標準的なプロセスとしＳｉ系・ＳｉＯ2系・ＳｉN系のエッチング及びアッシングに対応。またＡｒガスを主とした基板のクリーニングやＯ2ガスによる表面改質など多様な用途に実績。
基板の種類や目的に合わせ通常の平行平板高周波プラズマだけでなく。パルスDCによる直流放電機構も装備可能。
生産量に合わせてインライン化・CtoC化も容易で試作ラインから本格量産ラインへの移管を容易にします。
Ｃｕエッチング対応高密度プラズマエッチング装置
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基本構成を従来型エッチング装置「SERIO」「EXAM」と互換性を持つ高密度プラズマエッチング装置。
チャンバ構造・排気系・電源構成等は従来型エッチング装置「SERIO」とも互換性を持っており、電極交換によりＣｕエッチング等新プロセス対応にアップグレード可能。
大型基板用にＣToＣタイプも対応可能
Ｃｕ膜など難エッチングプロセスに対応し幅広い基板ウェハ’（Ｓｉ、ガラス、セラミックス）、ＦＰＤ、高密度プリント板、フォトマスク等幅広い用途に対応いたします。
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神港精機株式会社 東京支店
