流路切り替え電磁弁の内部容積がクロマトグラフ分析に与える影響を検証
ガスサンプリング制御装置に使用する流路切り替え電磁弁の内部容積が
クロマトグラフ分析に与える影響を検証する目的で、ガスサンプリング制御装置を構成し、標準サンプルの測定を行いました。
今回の測定では、装置の流路切替に「ゼロデッドボリュームバルブ(ゼロ内部容積構造電磁弁)」と標準型電磁弁を使用し、比較しました。
測定の結果、ゼロ内部容積構造がガスサンプリング制御装置の性能を向上させ、クロマトグラフの分析精度を上げたことが確認できました。
このように当社のゼロ内部容積構造は、分析装置の精度向上に貢献します。
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
【内部容積比較】
■ゼロ内部容積型電磁弁(型式:MTV-3-NM6NA)
・内部容積:COM.ポート 14mm3
N.C.、N.O.各ポート 7mm3
3ポートトータル 28mm3
■標準型電磁弁(型式:MTV-3-NM6)
・内部容積:COM.ポート 26mm3
N.C.、N.O.各ポート 66mm3
3ポートトータル 158mm3
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■ゼロ内部容積型電磁弁(型式:MTV-3-NM6NA)
・内部容積:COM.ポート 14mm3
N.C.、N.O.各ポート 7mm3
3ポートトータル 28mm3
■標準型電磁弁(型式:MTV-3-NM6)
・内部容積:COM.ポート 26mm3
N.C.、N.O.各ポート 66mm3
3ポートトータル 158mm3
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ダイアフラムバルブ技術情報 電磁弁内部容積の分析精度に対する影響
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