レポート　サムソンメモリーセルのプロセス比較レポート

最終更新日: 2024-07-19 17:31:28.0

20nm class DRAMと0nm class 2Gb DDR3DRAMのセル構成を比較したレポートです。

「Samsung 20nm class 3GB(6x4Gbit) LPDDR3」の構造解析を再構成したものです。
主な目的は20nm class DRAMとそれの一世代前の30nm class 2Gb DDR3
DRAMのセル構成を比較するものです。（20nm classは単に”2X nm”と指定されています。）

【特徴】
■6つの2X nm class4GBを使用しているチップ
■一つのパッケージ内に3チップスタック・2セットが対称に構成
■パッケージの厚さ：6つのダイ構成で0.8mm

その他詳細は、カタログをダウンロード、もしくはお問合せ下さい。

関連リンク - http://www.techinsights.com/default_japanese.aspx

基本情報

【目次】
Executive Summary
Device Summary
Process Summary
1.0 Package and Die Markings
2.0 Process
3.0 Layout and Structural Analysis
　　of the Memory Cell
4.0 Critical Dimensions
5.0 Major Findings
6.0 Materials Analysis
　
その他詳細は、カタログをダウンロード、もしくはお問合せ下さい。

価格帯	お問い合わせください
納期	お問い合わせください
用途／実績例	【用途】 ○構造解析レポートとして ※詳細は資料請求して頂くか、ダウンロードからPDFデータをご覧下さい。

お問い合わせ

下記のフォームにお問い合わせ内容をご記入ください。
※お問い合わせには会員登録が必要です。

至急度必須	通常至急
ご要望必須	購入希望見積もり希望カタログ送付希望価格表送付希望事例送付希望連絡希望訪問希望その他
目的必須	新規購入既存入れ替え仕様確認購入検討中情報収集中顧客への提案
添付資料
お問い合わせ内容	【ご利用上の注意】お問い合わせフォームを利用した広告宣伝等の行為は利用規約により禁止しております。