『Particle-PLUS』 はプラズマ反応炉や化学蒸着(CVD)などのシミュレーションに適したプラズマ解析ソフトウエアです。
Particle-PLUSは、粒子法を用いたプラズマ・希薄流体解析ソフトウェアです。プラズマを用いた装置・材料・デバイス研究・開発・製造などに有効なソフトです。二周波CCPや外部回路モデルなどの高度な物理モデルに対する解析も可能です。充実したサポートによりシミュレーションが始めての方や実験で忙しい方々も確実に結果を出すことができます。プラズマを解析するのに粒子モデルを用い、電子・イオンを代表する粒子の運動を追跡するPIC / MC (Particle In Cell / Mote Carlo)法を採用しております。また、対象プラズマ密度に応じて比較的高密度では陰解法を、低密度では陽解法と使い分けることにより、複雑なモデルでも効率良く解くことができます。特に流体モデルでの計算が難しい低圧ガスでのプラズマシミュレーションを得意とします。標準機能でのCCP、ICP、マグネトロンスパッタ計算はもちろんのこと、お客様の装置にあわせたカスタマイズも行っております。
【特長】
●時間スキームに陰解法を用いており、通常の解法に比べて大きな
計算時間幅 Δt で安定に時間発展を求めることが可能
●中性ガスと電子およびイオンとの衝突反応モデルには
onte-Carlo Scattering 法を採用しており、複雑な反応過程を精度良く、
迅速に計算が可能。
●中性ガスモジュールは上記プラズマモジュールで用いる初期中性ガス
分布を求めるもので、DSMC法を用いて短時間でガス流れを評価できます
●スパッタ粒子モジュールはマグネトロンスパッタ装置などにおいて、
ターゲットからスパッタされた原子のプラズマおよび中性ガス中の挙動を
求めるもので、対向基板上へのフラックス分布などが短時間で評価が可能
●その他機能や詳細については、カタログをご覧ください。
●時間スキームに陰解法を用いており、通常の解法に比べて大きな
計算時間幅 Δt で安定に時間発展を求めることが可能
●中性ガスと電子およびイオンとの衝突反応モデルには
onte-Carlo Scattering 法を採用しており、複雑な反応過程を精度良く、
迅速に計算が可能。
●中性ガスモジュールは上記プラズマモジュールで用いる初期中性ガス
分布を求めるもので、DSMC法を用いて短時間でガス流れを評価できます
●スパッタ粒子モジュールはマグネトロンスパッタ装置などにおいて、
ターゲットからスパッタされた原子のプラズマおよび中性ガス中の挙動を
求めるもので、対向基板上へのフラックス分布などが短時間で評価が可能
●その他機能や詳細については、カタログをご覧ください。
| 価格帯 | 100万円 ~ 500万円 |
|---|---|
| 納期 | ~ 1週間 |
| 型番・ブランド名 | Particle-PLUS |
| 用途／実績例 |
【二周波容量結合型プラズマ】 ・ 高密度プラズマを得るための電圧などの最適化 ・ チャンバー壁の損傷 ・ 外部回路モデルを用いた電力の最適化 － 現実の装置に沿った電圧を電極板に印加することが可能 － 印加電圧の波形がなめらかで比較的現実的な電圧でシミュレーションが可能 － 無理な電圧を掛けないために計算が比較的安定 【DC マグネトロンスパッタリング】 ・ 磁場分布依存のエロージョンの均一性 ・ スパッタされた材料の基板への吸着分布 【パルス電圧マグネトロンスパッタリング】 ・ 効率良く材料をスパッタさせるためのパルス電圧の印加時間などの最適化 【イオン注入】 ・ Sus がエロージョン分布に及ぼす影響 【電極板の印加電圧の時間推移】 ・ 電子密度やイオン速度分布など，実験測定では見ること困難な 物理量を見ることが可能 ・ 電子密度やイオン速度分布を調べることで， 膜の均一性やチャンバー壁の損 傷を調べることが可能 ・ 計算条件を変更して，低電力で高密度プラズマ発生の最適化が可能 |
関連ダウンロード
粒子法プラズマ解析ソフトウェア『Particle-PLUS』
上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。
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