Particle-PLUS解析事例紹介「円筒型マグネトロン装置のプラズマスパッタリング」シミュレーション事例
長い円筒パイプの内側に強い膜を成膜する方法のひとつである円筒標的を用いたマグネトロンスパッタの解析事例です
Particle-PLUSで利用可能な
1)軸対称モデル
2)鏡面対称境界条件を組み合わせることで
装置全体のシミュレーションを行う必要なく高速に結果を得ることができます
◇『Particle-PLUS』の特徴
・低圧プラズマ解析を得意とします
・軸対称モデルと鏡面対称境界条件を組み合わせで
装置全体のシミュレーションを行う必要なく、高速に結果を得ることができます
・流体モデルでの計算が難しい低圧ガスでのプラズマシミュレーションを得意とします
・2D(2次元)3D(3次元)対応し、複雑なモデルでも効率良く解析できます
・自社開発ソフトの強みとしてカスタマイズも可能です
◆さまざまな計算結果を出力◆
・ポテンシャル分布
・電子・イオンの密度分布/温度分布/発生分布
・壁への粒子フラックスとエネルギーフラックス
・壁への電子・イオンのエネルギースペクトル
・中性ガスの密度分布/温度分布/速度分布
など
※詳しくはお気軽にお問い合わせ下さい。
●時間スキームに陰解法を用いており、通常の解法に比べて大きな
計算時間幅 Δt で安定に時間発展を求めることが可能
●中性ガスと電子およびイオンとの衝突反応モデルには
onte-Carlo Scattering 法を採用しており、複雑な反応過程を精度良く、
迅速に計算が可能。
●中性ガスモジュールは上記プラズマモジュールで用いる初期中性ガス
分布を求めるもので、DSMC法を用いて短時間でガス流れを評価できます
●スパッタ粒子モジュールはマグネトロンスパッタ装置などにおいて、
ターゲットからスパッタされた原子のプラズマおよび中性ガス中の挙動を
求めるもので、対向基板上へのフラックス分布などが短時間で評価が可能
※その他機能や詳細については、お気軽にお問い合わせ下さい。
| 価格帯 | お問い合わせください |
|---|---|
| 納期 | ~ 1ヶ月 |
| 型番・ブランド名 | Particle-PLUS |
| 用途／実績例 |
【二周波容量結合型プラズマ】 ・ 高密度プラズマを得るための電圧などの最適化 ・ チャンバー壁の損傷 ・ 外部回路モデルを用いた電力の最適化 － 現実の装置に沿った電圧を電極板に印加することが可能 － 印加電圧の波形がなめらかで比較的現実的な電圧でシミュレーションが可能 － 無理な電圧を掛けないために計算が比較的安定 【DC マグネトロンスパッタリング】 ・ 磁場分布依存のエロージョンの均一性 ・ スパッタされた材料の基板への吸着分布 【パルス電圧マグネトロンスパッタリング】 ・ 効率良く材料をスパッタさせるためのパルス電圧の印加時間などの最適化 【イオン注入】 ・ Sus がエロージョン分布に及ぼす影響 【電極板の印加電圧の時間推移】 ・ 電子密度やイオン速度分布など，実験測定では見ること困難な 物理量を見ることが可能 ・ 電子密度やイオン速度分布を調べることで， 膜の均一性やチャンバー壁の損 傷を調べることが可能 ・ 計算条件を変更して，低電力で高密度プラズマ発生の最適化が可能 |
詳細情報
Particle-PLUS解析事例紹介
円筒型マグネトロン装置のプラズマスパッタリング
◇モデル概要
円筒型マグネトロン装置のプラズマスパッタリングでの軸対象モデル 解析事例
静磁場
プラズマ密度
・電子数密度
・イオン数密度
電位・電場
スパッタリング
・ターゲット表面入射イオンのエネルギー流束
・ターゲット表面のTi エロージョン率
成膜
・スパッタ粒子の数密度
・基板に到達したスパッタ粒子のエネルギーヒストグラム
・基板表面のTi デポジション率
関連ダウンロード
【事例】「Particle-PLUS」円筒型マグネトロンスパッタ
上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。
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