最終更新日:
2024-01-09 14:42:15.0
表面特性の分析を直接評価。表面特性の解明と改良、及び新しい材料開発に貢献します！
流動電位及び流動電流の測定原理に基づき、半導体ウェハのゼータ電位を評価します。
クランプセルは、SurPASS 3を用いて半導体ウェハ等の平面形状サンプルを測定するためのツールです。独自のメカニズムで設定した接触圧力によってサンプルを装着し、再現性の高い測定を実現します。
高い柔軟性
・電解液の流路を挟んで同一のサンプル表面を向かい合わせ、そのサンプルのゼータ電位を求める構成と、リファレンス表面を使用する非対称構成の2つの異なるサンプルアレンジメントが可能
・異なる厚さのサンプルの非破壊測定が可能
SurPASS３では、次の情報を得ることができます。
・表面が液体に接触したときの帯電挙動
・pH及びイオン強度の影響
・表面化学特性に特有の等電点
・特定の表面官能基の存在
・表面改質の評価
・添加剤の表面への吸着と脱着の挙動
基本情報
【測定対象】
半導体ウェハ (シリコンウェハ、ガリウム砒素 (GaAs) ウェハ、ガリウム燐 (GaP) ウェハ 、窒化ガリウム (GaN) ウェハ、シリコンカーバイド (SiC) ウェハ、サファイアウェハ、化合物半導体ウェハ、SAWウェハ)
【測定サンプルの規格】
サンプルサイズ ：最小 35 mm x 15 mm、または、最小直径 17 mm
サンプル厚さ ：最大 40 mm
【測定範囲】
流動電位：± 2000 mV ± (0.2 % + 4 μV)
流動電流：± 2 mA ± (0.2 % + 1 pA)
セル抵抗：5 Ω～20 MΩ ± (2 % + 0.5 Ω)
圧力測定：4000 mbar ± (0.2 % + 0.5 mbar)
圧力差が1500 mbarを超える場合は、外部圧力供給(圧縮窒素)が必要
pH ：pH 2～pH 12
導電率 ：0.1～1000 mS/m
温度 ：20～40 °C
【寸法】
600 mm x 432 mm x 245 mm
【重量】
26 kg
| 価格帯 | 1000万円 ~ 5000万円 |
|---|---|
| 納期 | お問い合わせください |
| 用途／実績例 | ■化学工業 ■化粧品・パーソナルケア ■医薬品・医学・バイオテクノロジー ■材料科学 ■環境科学 ■紙・テキスタイル ■鉱物・鉱業・原料 ■電子工学 ※詳しくはカタログをご覧下さい。お問い合わせもお気軽にどうぞ。 |
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