株式会社アントンパール・ジャパン

<ご案内>粒子径、ゼータ電位入門 Webinar

最終更新日: 2021-04-27 15:04:47.0

上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。

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粒子径、ゼータ電位入門Webinarは、2020年、基礎的な内容から、アプリケーション別の内容まで、幅広いテーマで全10回開催しました。

Webinarは無料で閲覧できますので、ぜひ一度アントンパールのWebinarをご覧ください。

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関連情報

固体表面ゼータ電位測定装置SurPASS 3 ガラス用
固体表面ゼータ電位測定装置SurPASS 3 ガラス用 製品画像
【測定対象】
ガラス

【測定サンプルの規格】
サンプルサイズ :最小 35 mm x 15 mm、または、最小直径 17 mm
サンプル厚さ  :最大 40 mm

【測定範囲】
流動電位:± 2000 mV ± (0.2 % + 4 μV)
流動電流:± 2 mA ± (0.2 % + 1 pA)
セル抵抗:5 Ω~20 MΩ ± (2 % + 0.5 Ω)
圧力測定:4000 mbar ± (0.2 % + 0.5 mbar)
     圧力差が1500 mbarを超える場合は、外部圧力供給(圧縮窒素)が必要
pH   :pH 2~pH 12
導電率 :0.1~1000 mS/m
温度  :20~40 °C

【寸法】
600 mm x 432 mm x 245 mm

【重量】
26 kg
固体表面分析用ゼータ電位測定装置 SurPASS 3
固体表面分析用ゼータ電位測定装置 SurPASS 3 製品画像
【測定範囲】
流動電位:± 2000 mV ± (0.2 % + 4 μV)
流動電流:± 2 mA ± (0.2 % + 1 pA)
セル抵抗:5 Ω~20 MΩ ± (2 % + 0.5 Ω)
圧力測定:4000 mbar ± (0.2 % + 0.5 mbar)
圧力差が1500 mbarを超える場合は、外部圧力供給 (圧縮窒素)が必要
pH   :pH 2~pH 12
導電率 :0.1~1000 mS/m
温度  :20~40 °C
【寸法】
600 mm x 432 mm x 245 mm (奥行 x 幅 x 高さ)
【重量】
26 kg
固体表面ゼータ電位測定装置SurPASS 3 メンブレン用
固体表面ゼータ電位測定装置SurPASS 3 メンブレン用 製品画像
【測定対象】
メンブレンサンプル

【測定サンプルの規格】
サンプルサイズ :20 mm x 10 mm、
        直径 14 mmまたは 15 mm
サンプル厚さ :最大 2 mm

【測定範囲】
流動電位:± 2000 mV ± (0.2 % + 4 μV)
流動電流:± 2 mA ± (0.2 % + 1 pA)
セル抵抗:5 Ω~20 MΩ ± (2 % + 0.5 Ω)
圧力測定:4000 mbar ± (0.2 % + 0.5 mbar)
     圧力差が1500 mbarを超える場合は、外部圧力供給(圧縮窒素)が必要
pH   :pH 2~pH 12
導電率 :0.1~1000 mS/m
温度  :20~40 °C

【寸法】
600 mm x 432 mm x 245 mm

【重量】
26 kg
固体表面ゼータ電位測定装置 SurPASS 3 毛髪サンプル用
固体表面ゼータ電位測定装置 SurPASS 3 毛髪サンプル用 製品画像
【測定対象】
毛髪サンプル

【測定範囲】
流動電位:± 2000 mV ± (0.2 % + 4 μV)
流動電流:± 2 mA ± (0.2 % + 1 pA)
セル抵抗:5 Ω~20 MΩ ± (2 % + 0.5 Ω)
圧力測定:4000 mbar ± (0.2 % + 0.5 mbar)
     圧力差が1500 mbarを超える場合は、外部圧力供給(圧縮窒素)が必要
pH   :pH 2~pH 12
導電率 :0.1~1000 mS/m
温度  :20~40 °C

【寸法】
600 mm x 432 mm x 245 mm

【重量】
26 kg
固体表面ゼータ電位測定装置SurPASS 3 半導体ウェハ用
固体表面ゼータ電位測定装置SurPASS 3 半導体ウェハ用 製品画像
【測定対象】
半導体ウェハ (シリコンウェハ、ガリウム砒素 (GaAs) ウェハ、ガリウム燐 (GaP) ウェハ 、窒化ガリウム (GaN) ウェハ、シリコンカーバイド (SiC) ウェハ、サファイアウェハ、化合物半導体ウェハ、SAWウェハ)

【測定サンプルの規格】
サンプルサイズ :最小 35 mm x 15 mm、または、最小直径 17 mm
サンプル厚さ  :最大 40 mm

【測定範囲】
流動電位:± 2000 mV ± (0.2 % + 4 μV)
流動電流:± 2 mA ± (0.2 % + 1 pA)
セル抵抗:5 Ω~20 MΩ ± (2 % + 0.5 Ω)
圧力測定:4000 mbar ± (0.2 % + 0.5 mbar)
     圧力差が1500 mbarを超える場合は、外部圧力供給(圧縮窒素)が必要
pH   :pH 2~pH 12
導電率 :0.1~1000 mS/m
温度  :20~40 °C

【寸法】
600 mm x 432 mm x 245 mm

【重量】
26 kg
固体表面ゼータ電位測定装置SurPASS 3 平面形状サンプル用
固体表面ゼータ電位測定装置SurPASS 3 平面形状サンプル用 製品画像
【測定対象】
平板状サンプル

【測定サンプルの規格】
サンプルサイズ :最小 35 mm x 15 mm、または、最小直径 17 mm
サンプル厚さ  :最大 40 mm

【測定範囲】
流動電位:± 2000 mV ± (0.2 % + 4 μV)
流動電流:± 2 mA ± (0.2 % + 1 pA)
セル抵抗:5 Ω~20 MΩ ± (2 % + 0.5 Ω)
圧力測定:4000 mbar ± (0.2 % + 0.5 mbar)
     圧力差が1500 mbarを超える場合は、外部圧力供給(圧縮窒素)が必要
pH   :pH 2~pH 12
導電率 :0.1~1000 mS/m
温度  :20~40 °C

【寸法】
600 mm x 432 mm x 245 mm

【重量】
26 kg
固体表面ゼータ電位測定装置 SurPASS 3 ポリマーフィルム
固体表面ゼータ電位測定装置 SurPASS 3 ポリマーフィルム 製品画像
【測定対象】
ポリマーフィルム (平板状、フィルム状)

【測定サンプルの規格】
サンプルサイズ :20 mm x 10 mm、
        直径 14 mmまたは 15 mm
サンプル厚さ :最大 2 mm

【測定範囲】
流動電位:± 2000 mV ± (0.2 % + 4 μV)
流動電流:± 2 mA ± (0.2 % + 1 pA)
セル抵抗:5 Ω~20 MΩ ± (2 % + 0.5 Ω)
圧力測定:4000 mbar ± (0.2 % + 0.5 mbar)
     圧力差が1500 mbarを超える場合は、外部圧力供給(圧縮窒素)が必要
pH   :pH 2~pH 12
導電率 :0.1~1000 mS/m
温度  :20~40 °C

【寸法】
600 mm x 432 mm x 245 mm

【重量】
26 kg
固体表面ゼータ電位測定装置 SurPASS 3 セラミック膜用
固体表面ゼータ電位測定装置 SurPASS 3 セラミック膜用 製品画像
【測定対象】
チューブ状セラミック膜

【測定サンプルの規格】
サンプル長さ:100 mm
サンプル直径:シングルチャンネル 外径 10 mmまたは 13 mm
       マルチチャンネル  外径 25 mmまたは 30 mm

【測定範囲】
流動電位:± 2000 mV ± (0.2 % + 4 μV)
流動電流:± 2 mA ± (0.2 % + 1 pA)
セル抵抗:5 Ω~20 MΩ ± (2 % + 0.5 Ω)
圧力測定:4000 mbar ± (0.2 % + 0.5 mbar)
圧力差が1500 mbarを超える場合は、外部圧力供給(圧縮窒素)が必要
pH   :pH 2~pH 12
導電率 :0.1~1000 mS/m
温度  :20~40 °C

【寸法】
600 mm x 432 mm x 245 mm

【重量】
26 kg
固体表面ゼータ電位測定装置 SurPASS 3 チューブ用
固体表面ゼータ電位測定装置 SurPASS 3 チューブ用 製品画像
【測定対象】
フレキシブルチューブ (ポリマーホース、ポリマーチューブ、ポリマー中空繊維膜、カテーテル等)

【測定サンプルの規格】
サンプル長さ:最小 100 mm
サンプル直径:外径 0.7~6 mm

【測定範囲】
流動電位:± 2000 mV ± (0.2 % + 4 μV)
流動電流:± 2 mA ± (0.2 % + 1 pA)
セル抵抗:5 Ω~20 MΩ ± (2 % + 0.5 Ω)
圧力測定:4000 mbar ± (0.2 % + 0.5 mbar)
圧力差が1500 mbarを超える場合は、外部圧力供給(圧縮窒素)が必要
pH   :pH 2~pH 12
導電率 :0.1~1000 mS/m
温度  :20~40 °C

【寸法】
600 mm x 432 mm x 245 mm

【重量】
26 kg
固体表面ゼータ電位測定装置SurPASS 3 コンタクトレンズ用
固体表面ゼータ電位測定装置SurPASS 3 コンタクトレンズ用 製品画像
【測定対象】
ソフトコンタクトレンズ

【測定範囲】
流動電位:± 2000 mV ± (0.2 % + 4 μV)
流動電流:± 2 mA ± (0.2 % + 1pA )
セル抵抗:5 Ω~20 MΩ ± (2 % + 0.5 Ω)
圧力測定:3500 mbar ± (0.2 % + 0.5 mbar)
圧力差が1500 mbarを超える場合は、外部圧力供給(圧縮窒素)が必要
pH   :2 ~ 12
導電率 :0.1~1000 mS/m
温度  :20~40 °C

【寸法】
600 mm x 432 mm x 245 mm

【重量】
26 kg
固体表面ゼータ電位測定装置 SurPASS 3 コアサンプル用
固体表面ゼータ電位測定装置 SurPASS 3 コアサンプル用 製品画像
【測定対象】
コアサンプル

【測定サンプルの規格】
サンプル高さ:最大4インチ
サンプル直径:最小1インチ(断面分析)、1インチ(外周面分析)

【測定範囲】
流動電位:± 2000 mV ± (0.2 % + 4 μV)
流動電流:± 2 mA ± (0.2 % + 1 pA)
セル抵抗:5 Ω~20 MΩ ± (2 % + 0.5 Ω)
圧力測定:4000 mbar ± (0.2 % + 0.5 mbar)
     圧力差が1500 mbarを超える場合は、外部圧力供給(圧縮窒素)が必要
pH   :pH 2~pH 12
導電率 :0.1~1000 mS/m
温度  :20~40 °C

【寸法】
600 mm x 432 mm x 245 mm

【重量】
26 kg
固体表面ゼータ電位測定装置 SurPASS 3 天然/化学繊維用
固体表面ゼータ電位測定装置 SurPASS 3 天然/化学繊維用 製品画像
【測定対象】
天然 / 化学繊維

【測定範囲】
流動電位:± 2000 mV ± (0.2 % + 4 μV)
流動電流:± 2 mA ± (0.2 % + 1 pA)
セル抵抗:5 Ω~20 MΩ ± (2 % + 0.5 Ω)
圧力測定:4000 mbar ± (0.2 % + 0.5 mbar)
     圧力差が1500 mbarを超える場合は、外部圧力供給(圧縮窒素)が必要
pH   :pH 2~pH 12
導電率 :0.1~1000 mS/m
温度  :20~40 °C

【寸法】
600 mm x 432 mm x 245 mm

【重量】
26 kg
固体表面ゼータ電位測定装置 SurPASS 3 バイアル用
固体表面ゼータ電位測定装置 SurPASS 3 バイアル用 製品画像
【測定対象】
バイアル

【測定サンプルの規格】
・規格・タイプ: ISO 規格 2R / 4R、日本規格 2 ml バイアル
・ガラスもしくは樹脂
胴径     :φ16.0 mm
全長     : 35.0 mm / 45.0 mm
容量     :2 ml / 4 ml

【測定範囲】
流動電位:± 2000 mV ± (0.2 % + 4 μV)
流動電流:± 2 mA ± (0.2 % + 1 pA)
セル抵抗:5 Ω~20 MΩ ± (2 % + 0.5 Ω)
圧力測定:4000 mbar ± (0.2 % + 0.5 mbar)
     圧力差が1500 mbarを超える場合は、外部圧力供給(圧縮窒素)が必要
pH   :pH 2~pH 12
導電率 :0.1~1000 mS/m
温度  :20~40 °C

【寸法】
600 mm x 432 mm x 245 mm

【重量】
26 kg
固体表面ゼータ電位測定装置 SurPASS 3 中空糸膜用
固体表面ゼータ電位測定装置 SurPASS 3 中空糸膜用 製品画像
【測定対象】
中空糸膜

【測定サンプルの規格】
サンプル長さ:中空糸膜、最小170 mm

【測定範囲】
流動電位:± 2000 mV ± (0.2 % + 4 μV)
流動電流:± 2 mA ± (0.2 % + 1 pA)
セル抵抗:5 Ω~20 MΩ ± (2 % + 0.5 Ω)
圧力測定:4000 mbar ± (0.2 % + 0.5 mbar)
圧力差が1500 mbarを超える場合は、外部圧力供給(圧縮窒素)が必要
pH   :pH 2~pH 12
導電率 :0.1~1000 mS/m
温度  :20~40 °C

【寸法】
600 mm x 432 mm x 245 mm

【重量】
26 kg
粒子径 ゼータ電位 分子量測定装置 Litesizer 500
粒子径 ゼータ電位 分子量測定装置 Litesizer 500 製品画像
【その他の特長】
■監査証跡を提供し、医薬品業界の法規制に準拠
■逆Ω型のキャピラリーチューブによって再現性の高い測定結果を取得可能

【測定原理】
■動的光散乱 (DLS) による粒径測定
■電気泳動光散乱 (ELS) によるゼータ電位測定
■静的光散乱 (SLS) による分子量測定
■透過率
■屈折率

【一般仕様】
■温度制御範囲:0~90 ℃
■光源    :半導体レーザー/40 mW、658 nm
■動作温度  :10~35 ℃
■温度    :35~80 %、結露のないこと
■寸法    :460 mm × 485 mm × 135 mm
■重量    :約18 kg

※詳しくはカタログをご覧下さい。お問い合わせもお気軽にどうぞ。
レーザー回折式粒子径分布測定装置 PSAシリーズ
レーザー回折式粒子径分布測定装置 PSAシリーズ 製品画像
【仕様】
測定原理         :レーザー回折・散乱法
乾式分散         :ベンチュリ / 自由落下 (PSA 1190)
湿式分散         :ペリスタリックポンプ2個 / 超音波振動子 / 撹拌翼
レーザー数        :3
デジタルデータセキュリティ:FDA 21 CFR Part 11
寸法           :890 mm x 530 mm x 430 mm
重量           :48 - 63 kg

【粒子径分布測定範囲】
PSA 990
乾式:0.3 ~ 500 μm
湿式:0.2 ~ 500 μm

PSA 1090
乾式:0.1 ~ 500 μm
湿式:0.04 ~ 500 μm

PSA 1190
乾式:0.1 ~ 2500 μm
湿式:0.04 ~ 2500 μm

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