上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。
堅牢で高効率な高耐圧GaNスイッチ動作！研究開発にかかる労力、時間を削減。
当製品は、高効率な市販のシングルチャネル絶縁型窒化ガリウム(GaN)
EiceDRIVER ICを使用して、GaN HEMTを駆動させます。
CoolGaN エンハンスモードHEMTは、インフィニオンのEiceDRIVER ICの
1EDF5673K, 1EDF5673F, 1EDS5663Hを使用することで、好適な駆動を
実現できます。
【特長】
■低抵抗出力ソース: 0.85Ω、シンク: 0.35Ω
<シングルチャネル・ガルバニック絶縁>
■機能絶縁：VIO= 1500VDC
・VIOWM = 510Vrms (16-pin DSO)
・VIOWM = 460Vrms (LGA 5x5)
■強化絶縁
・VIOTM = 8000Vpk(VDE 0884-10 未決定)
・VIOWM = 1420 VDC
■最小同相過渡電圧耐性 (CMTI)： 200V/ns
■タイミング
・最小出力パルス幅：18ns
・伝搬遅延精度：13ns
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
EiceDRIVER ICを使用して、GaN HEMTを駆動させます。
CoolGaN エンハンスモードHEMTは、インフィニオンのEiceDRIVER ICの
1EDF5673K, 1EDF5673F, 1EDS5663Hを使用することで、好適な駆動を
実現できます。
【特長】
■低抵抗出力ソース: 0.85Ω、シンク: 0.35Ω
<シングルチャネル・ガルバニック絶縁>
■機能絶縁：VIO= 1500VDC
・VIOWM = 510Vrms (16-pin DSO)
・VIOWM = 460Vrms (LGA 5x5)
■強化絶縁
・VIOTM = 8000Vpk(VDE 0884-10 未決定)
・VIOWM = 1420 VDC
■最小同相過渡電圧耐性 (CMTI)： 200V/ns
■タイミング
・最小出力パルス幅：18ns
・伝搬遅延精度：13ns
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
関連情報
『高耐圧シングルチャネル絶縁型ゲートドライバGaN IC』
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【その他特長】
■正・負のゲート駆動電流：高速ターンオン/オフ GaNスイッチスルーレート
■オフの期間、ゲート電圧ゼロを保持
■ガルバニック絶縁内蔵
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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旭テック株式会社 大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所
