上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。
次世代半導体 GaN HEMT 大容量ACアダプタの小型化に適したGaNパワーデバイス
・8x8 PQFNパッケージ
・Vdss : 650V
・Rds(on) : 312mΩ(max)
・Id : 6.5A(@Tc=25℃), 4.1A(Tc=100℃)
・Vdss : 650V
・Rds(on) : 312mΩ(max)
・Id : 6.5A(@Tc=25℃), 4.1A(Tc=100℃)
関連情報
GaNパワーデバイス『TP65H300G4LSG』
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当社では、ものづくりを支える産業機械・機器の業界を中心に、
パワー半導体、電源機器、センサー、モーター及び電子部品を提案、提供しています。
自動車産業のエレクトロニクス化をはじめ、ネットワーク・ビックデータの活用がなされる時代。
私たちは、そんな時代を支える産業機械・機器、民生機器・製品の分野に特化して付加価値を創造いたします。
GaNデバイス ACアダプタのパワー向上とサイズダウンを実現
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旭テック株式会社 大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所
