ブルカージャパン株式会社

オプティクス事業部

Wafer ATRにおけるシリコンウェハー表面の高精度分析

最終更新日: 2024-03-06 10:44:02.0

上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。

【無料プレゼント】MIRS法を応用した新たなアプローチである製品をご紹介
シリコンウェハー (Si ウェハー)表面の特性は、材料としての機能性に
大きく影響し、とくにウェハー表面に形成される各種薄膜の化学的評価が
ますます重要となっています。

当資料で紹介する「Wafer ATR」は、いわゆるMIRS法を応用した新たな
アプローチであり、フランス原子力庁電子情報研究所CEA-Letiの
グループとの研究成果を製品化したものです。

【掲載内容】
■はじめに
■Wafer ATR(ウェハーATR)
 ・多重内部反射による感度の向上
 ・測定時の必要事項
■測定例
■判別分析
■まとめ
■参考文献

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

関連情報

Wafer ATRにおけるシリコンウェハー表面の高精度分析
Wafer ATRにおけるシリコンウェハー表面の高精度分析 製品画像
【製品特長】
<ハイエンドFT-IR:VERTEX シリーズ>
■最大限の柔軟性を持つよう設計
■アップグレードが可能な光学プラットフォームで構成

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
【技術資料】高空間分解ATRマッピング測定(LUMOS II)
【技術資料】高空間分解ATRマッピング測定(LUMOS II) 製品画像
【展示会出展情報】​
『JASIS 2021』に出展いたします。
日時:2021年11月8日(月)~10日(水) 10:00 ~17:00
会場:幕張メッセ国際展示場
ブース番号:5A-304


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