上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。
行うための強力なデバイスシミュレーションプログラム
■特徴■
■光出力−電流（L-I）特性
■電流−電圧（I-V）特性
■２次元ポテンシャル、電場、電流分布
■電子とホール密度の２次元分布
■様々なバイアス条件の下でのバンド図
■半導体中の深いレベルのトラップの占有数と密度の２次元分布
■２次元多重横モードの光学場分布
■２次元局所光学利得分布
■バイアス電流に対するモード別屈折率依存性
■バイアス電流に対するモード別利得と屈折率変化の依存性
■電流に対する自発放出スペクトルの依存性
■Far-field 分布
■上記の全ての量の時間発展（過渡的モデル）と温度依存性（一様温度）
■その他機能や詳細については、カタログダウンロード
もしくはお問い合わせ下さい。
関連情報
PICS3D(Fabry-Perot Edition)
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＜インターフェイス＞
■構造入力、結果表示のためのツールを標準装備
■独自のスクリプト言語で記述、GUIやコマンドラインから実行が可能
■バッチファイルやスクリプト言語によるプログラム制御が可能
＜材料マクロ＞
■化合物 (InGaAsNSb, AlGaAsSb, InAs, InAlAs, InP, InGaAlAs, etc.)
■窒化物 (GaN, InGaN, AlGaN, c-GaN(六方晶), c-AlN(六方晶), etc.)
■シリコン (poly, SiGe, h-SiC(六方晶), a-Si(アモルファス), SiO2, etc.)
■金属 (metal(汎用), ITO, Cu, Ag, Fe, Zn, Cd, Al, Sn, Pb, etc.)
■絶縁体 (air(空気), vacuum(真空), TiO2, AlAs-oxide, sapphire, etc.)
■有機物 (BPhen, BCzVBiドープCBP,CuPc, LiF, etc.)
■その他 (GaP, CdS, ZnTe, ZnSe, ZnS, etc.)
【動画】PICS3D(Fabry-Perot Edition)
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＜インターフェイス＞
■構造入力、結果表示のためのツールを標準装備
■独自のスクリプト言語で記述、GUIやコマンドラインから実行が可能
■バッチファイルやスクリプト言語によるプログラム制御が可能
＜材料マクロ＞
■化合物 (InGaAsNSb, AlGaAsSb, InAs, InAlAs, InP, InGaAlAs, etc.)
■窒化物 (GaN, InGaN, AlGaN, c-GaN(六方晶), c-AlN(六方晶), etc.)
■シリコン (poly, SiGe, h-SiC(六方晶), a-Si(アモルファス), SiO2, etc.)
■金属 (metal(汎用), ITO, Cu, Ag, Fe, Zn, Cd, Al, Sn, Pb, etc.)
■絶縁体 (air(空気), vacuum(真空), TiO2, AlAs-oxide, sapphire, etc.)
■有機物 (BPhen, BCzVBiドープCBP,CuPc, LiF, etc.)
■その他 (GaP, CdS, ZnTe, ZnSe, ZnS, etc.)
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クロスライトソフトウェアインク日本支社
