2次元に特化した半導体レーザ向けデバイスシミュレーションプログラム(旧LASTIP）
＜主な特徴＞
■２次元構造モデルに基づいた半導体レーザのシミュレーションソフト
■共振器方向での効果を含まないため計算がより軽く実行可能
■有限要素計算のメッシュも２次元で設定するため収束がよりスムーズ
＜多様な物理モデルや機能＞
■光出力-電流（L-I）特性
■電流-電圧（I-V）特性
■２次元ポテンシャル、電場、電流分布
■電子とホール密度の２次元分布
■様々なバイアス条件の下でのバンド図
■半導体中の深いレベルのトラップの占有数と密度の２次元分布
■２次元多重横モードの光学場分布
■２次元局所光学利得分布
■バイアス電流に対するモード別屈折率依存性
■バイアス電流に対するモード別利得と屈折率変化の依存性
■電流に対する自発放出スペクトルの依存性
■Far-field 分布
■上記の全ての量の時間発展（過渡的モデル）と温度依存性（一様温度）
■その他機能や詳細については、カタログダウンロード
もしくはお問い合わせ下さい。
■試用版のご希望は下記のお問い合わせからご連絡ください。
＜インターフェイス＞
■構造入力、結果表示のためのツールを標準装備
■独自のスクリプト言語で記述、GUIやコマンドラインから実行が可能
■バッチファイルやスクリプト言語によるプログラム制御が可能
＜材料マクロ＞
■化合物 (InGaAsNSb, AlGaAsSb, InAs, InAlAs, InP, InGaAlAs, etc.)
■窒化物 (GaN, InGaN, AlGaN, c-GaN(六方晶), c-AlN(六方晶), etc.)
■シリコン (poly, SiGe, h-SiC(六方晶), a-Si(アモルファス), SiO2, etc.)
■金属 (metal(汎用), ITO, Cu, Ag, Fe, Zn, Cd, Al, Sn, Pb, etc.)
■絶縁体 (air(空気), vacuum(真空), TiO2, AlAs-oxide, sapphire, etc.)
■有機物 (BPhen, BCzVBiドープCBP,CuPc, LiF, etc.)
■その他 (GaP, CdS, ZnTe, ZnSe, ZnS, etc.)
■構造入力、結果表示のためのツールを標準装備
■独自のスクリプト言語で記述、GUIやコマンドラインから実行が可能
■バッチファイルやスクリプト言語によるプログラム制御が可能
＜材料マクロ＞
■化合物 (InGaAsNSb, AlGaAsSb, InAs, InAlAs, InP, InGaAlAs, etc.)
■窒化物 (GaN, InGaN, AlGaN, c-GaN(六方晶), c-AlN(六方晶), etc.)
■シリコン (poly, SiGe, h-SiC(六方晶), a-Si(アモルファス), SiO2, etc.)
■金属 (metal(汎用), ITO, Cu, Ag, Fe, Zn, Cd, Al, Sn, Pb, etc.)
■絶縁体 (air(空気), vacuum(真空), TiO2, AlAs-oxide, sapphire, etc.)
■有機物 (BPhen, BCzVBiドープCBP,CuPc, LiF, etc.)
■その他 (GaP, CdS, ZnTe, ZnSe, ZnS, etc.)
| 価格情報 | - |
|---|---|
| 納期 | お問い合わせください |
| 型番・ブランド名 | PICS3D (Fabry-Perot Edition) |
| 用途／実績例 |
＜適用デバイス・モデル＞ ■組成にグレードがあるデバイス ■ブロードエリアのレーザ ■多重量子井戸(MQW)レーザ ■デュアルポーラゼーションレーザ ■多体効果を伴ったレーザ ■ミニバンド輸送モデルを使ったレーザ ■モジュレーター ■リッジ型レーザ ■多共振器レーザ ■マルチモードレーザ ■FFP ■ポンプレーザ ■EEIM横モード ■量子カスケードレーザ(QCL) ■量子ドットレーザ(QDot) ■温度依存 ■熱解析 ■TypeII型多重量子井戸 など ＜解析・プロット＞ ■物理量の空間分布 (ポテンシャル、キャリア密度、電流分布、バンド図、光モード分布、温度分布、多重量子井戸の波動関数、NFP、FFP、etc.) ■バイアス依存性 (L-I特性、I-V特性、電流と利得、電流と屈折率変化、etc.) ■スペクトル (モード利得、自然放出、屈折率変化、etc.) ■交流解析 (周波数特性、応答出力、etc.) |
関連ダウンロード
PICS3D(Fabry-Perot Edition)
上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。
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