クロスライトソフトウェアインク日本支社

半導体レーザ向けデバイスシミュレータの製品仕様/スペック概要

最終更新日: 2020-05-12 11:49:51.0

上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。

クロスライト社の半導体レーザ向製品の概要が一目でわかります。
半導体レーザ向けデバイスシミュレータ製品の特徴、ワークフロー、材料マクロ、物理モデル、機能、オプション、デバイスの適用例、解析例、動作環境などこの1枚に要約されています。

関連情報

半導体レーザ・光デバイス用3Dシミュレーター PICS3D
半導体レーザ・光デバイス用3Dシミュレーター PICS3D 製品画像

<インターフェイス>
■構造入力、結果表示のためのツールを標準装備
■独自のスクリプト言語で記述、GUIやコマンドラインから実行が可能
■バッチファイルやスクリプト言語によるプログラム制御が可能

<材料マクロ>
■化合物 (InGaAsNSb, AlGaAsSb, InAs, InAlAs, InP, InGaAlAs, etc.)
■窒化物 (GaN, InGaN, AlGaN, c-GaN(六方晶), c-AlN(六方晶), etc.)
■シリコン (poly, SiGe, h-SiC(六方晶), a-Si(アモルファス), SiO2, etc.)
■金属 (metal(汎用), ITO, Cu, Ag, Fe, Zn, Cd, Al, Sn, Pb, etc.)
■絶縁体 (air(空気), vacuum(真空), TiO2, AlAs-oxide, sapphire, etc.)
■有機物 (BPhen, BCzVBiドープCBP,CuPc, LiF, etc.)
■その他 (GaP, CdS, ZnTe, ZnSe, ZnS, etc.)

【動画】半導体レーザ用3Dデバイスシミュレーター PICS3D
【動画】半導体レーザ用3Dデバイスシミュレーター PICS3D 製品画像

<インターフェイス>
■構造入力、結果表示のためのツールを標準装備
■独自のスクリプト言語で記述、GUIやコマンドラインから実行が可能
■バッチファイルやスクリプト言語によるプログラム制御が可能

<材料マクロ>
■化合物 (InGaAsNSb, AlGaAsSb, InAs, InAlAs, InP, InGaAlAs, etc.)
■窒化物 (GaN, InGaN, AlGaN, c-GaN(六方晶), c-AlN(六方晶), etc.)
■シリコン (poly, SiGe, h-SiC(六方晶), a-Si(アモルファス), SiO2, etc.)
■金属 (metal(汎用), ITO, Cu, Ag, Fe, Zn, Cd, Al, Sn, Pb, etc.)
■絶縁体 (air(空気), vacuum(真空), TiO2, AlAs-oxide, sapphire, etc.)
■有機物 (BPhen, BCzVBiドープCBP,CuPc, LiF, etc.)
■その他 (GaP, CdS, ZnTe, ZnSe, ZnS, etc.)

オプション説明一覧 (PICS3D)
オプション説明一覧 (PICS3D) 製品画像

2次グレーティングオプション、3次元電流流れオプション、3次元ベンドメッシュ、アドバンスドk.p摂動モデル、アドバンスドオプティクスモデル/ポンプレーザ、半導体光増幅器モジュール、BPMオプション、Csupremビルダー/メッシュインターフェイス、エキシトン/多体効果オプションなど様々なオプションや物理モデルについて紹介。

PICS3D(Fabry-Perot Edition)
PICS3D(Fabry-Perot Edition)     製品画像

<インターフェイス>
■構造入力、結果表示のためのツールを標準装備
■独自のスクリプト言語で記述、GUIやコマンドラインから実行が可能
■バッチファイルやスクリプト言語によるプログラム制御が可能

<材料マクロ>
■化合物 (InGaAsNSb, AlGaAsSb, InAs, InAlAs, InP, InGaAlAs, etc.)
■窒化物 (GaN, InGaN, AlGaN, c-GaN(六方晶), c-AlN(六方晶), etc.)
■シリコン (poly, SiGe, h-SiC(六方晶), a-Si(アモルファス), SiO2, etc.)
■金属 (metal(汎用), ITO, Cu, Ag, Fe, Zn, Cd, Al, Sn, Pb, etc.)
■絶縁体 (air(空気), vacuum(真空), TiO2, AlAs-oxide, sapphire, etc.)
■有機物 (BPhen, BCzVBiドープCBP,CuPc, LiF, etc.)
■その他 (GaP, CdS, ZnTe, ZnSe, ZnS, etc.)

【動画】PICS3D(Fabry-Perot Edition)
【動画】PICS3D(Fabry-Perot Edition)  製品画像

<インターフェイス>
■構造入力、結果表示のためのツールを標準装備
■独自のスクリプト言語で記述、GUIやコマンドラインから実行が可能
■バッチファイルやスクリプト言語によるプログラム制御が可能

<材料マクロ>
■化合物 (InGaAsNSb, AlGaAsSb, InAs, InAlAs, InP, InGaAlAs, etc.)
■窒化物 (GaN, InGaN, AlGaN, c-GaN(六方晶), c-AlN(六方晶), etc.)
■シリコン (poly, SiGe, h-SiC(六方晶), a-Si(アモルファス), SiO2, etc.)
■金属 (metal(汎用), ITO, Cu, Ag, Fe, Zn, Cd, Al, Sn, Pb, etc.)
■絶縁体 (air(空気), vacuum(真空), TiO2, AlAs-oxide, sapphire, etc.)
■有機物 (BPhen, BCzVBiドープCBP,CuPc, LiF, etc.)
■その他 (GaP, CdS, ZnTe, ZnSe, ZnS, etc.)

オプション説明一覧 (PICS3D Fabry-Perot)
オプション説明一覧 (PICS3D Fabry-Perot) 製品画像

3次元電流流れオプション、アドバンスドk.p摂動モデル、アドバンスドオプティクスモデル/ポンプレーザ、エキシトン/多体効果オプション、インターサブバンドオプション、マルチキャビティオプション、拡張型等価屈折率法オプション、量子ドットモデルなど様々なオプションや物理モデルについて紹介。

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