クロスライトソフトウェアインク日本支社

TCADによるパワーデバイスシミュレーション(TCAD Simulation of Power Devices)

最終更新日: 2021-08-26 13:59:34.0

上記では、電子ブックの一部をご紹介しております。

クロスライトのTCADとパワーデバイスシミュレーションの計算例を紹介
クロスライトのTCADは、Suprem IVと完全互換のプロセスシミュレータと様々な物理モデルを備えたデバイシミュレータから成ります。数値解析モデルは、完全3D、円筒座標系や円筒座標系・直交座標系混在系を扱え、CPU/GPU並列計算で速度を最大5倍加速し100K以上のメッシュ数を扱うことが可能。実世界のアプリケーション指向TCADで、ブレークダウン電圧(BV)、ドレイン・ソース間の抵抗値(Rds)、相互コンダクタンス、熱抵抗、ゲート総電荷量(Qg)、立ち上がり/立ち下がり時間、ターンオン/ターンオフ遅延などデータシートのパラメータを完全に抽出可能です。

関連情報

半導体デバイス用汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトAPSYS
半導体デバイス用汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトAPSYS 製品画像

<インターフェイス>
■構造入力、結果表示のためのツールを標準装備
■独自のスクリプト言語で記述、GUIやコマンドラインから実行が可能
■バッチファイルやスクリプト言語によるプログラム制御が可能

<材料マクロ>
■化合物 (InGaAsNSb, AlGaAsSb, InAs, InAlAs, InP, InGaAlAs, etc.)
■窒化物 (GaN, InGaN, AlGaN, c-GaN(六方晶), c-AlN(六方晶), etc.)
■シリコン (poly, SiGe, h-SiC(六方晶), a-Si(アモルファス), SiO2, etc.)
■金属 (metal(汎用), ITO, Cu, Ag, Fe, Zn, Cd, Al, Sn, Pb, etc.)
■絶縁体 (air(空気), vacuum(真空), TiO2, AlAs-oxide, sapphire, etc.)
■有機物 (BPhen, BCzVBiドープCBP,CuPc, LiF, etc.)
■その他 (GaP, CdS, ZnTe, ZnSe, ZnS, etc.)

【動画】半導体デバイス用2D/3D解析・設計ソフトAPSYS
【動画】半導体デバイス用2D/3D解析・設計ソフトAPSYS 製品画像

<インターフェイス>
■構造入力、結果表示のためのツールを標準装備
■独自のスクリプト言語で記述、GUIやコマンドラインから実行が可能
■バッチファイルやスクリプト言語によるプログラム制御が可能

<材料マクロ>
■化合物 (InGaAsNSb, AlGaAsSb, InAs, InAlAs, InP, InGaAlAs, etc.)
■窒化物 (GaN, InGaN, AlGaN, c-GaN(六方晶), c-AlN(六方晶), etc.)
■シリコン (poly, SiGe, h-SiC(六方晶), a-Si(アモルファス), SiO2, etc.)
■金属 (metal(汎用), ITO, Cu, Ag, Fe, Zn, Cd, Al, Sn, Pb, etc.)
■絶縁体 (air(空気), vacuum(真空), TiO2, AlAs-oxide, sapphire, etc.)
■有機物 (BPhen, BCzVBiドープCBP,CuPc, LiF, etc.)
■その他 (GaP, CdS, ZnTe, ZnSe, ZnS, etc.)

オプション説明一覧 (APSYS)
オプション説明一覧 (APSYS) 製品画像

3次元電流流れオプション、3次元ベンドメッシュ、アドバンスドk.p摂動モデル、アドバンスドオプティクスモデル/ポンプレーザ、Csupremビルダー/メッシュインターフェイス、エキシトン/多体効果オプション、FDTDインターフェイス、Franz-Keldyshモデルなど様々なオプションや物理モデルについて紹介。

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