製品・サービス一覧
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注目製品情報
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- 半導体デバイス用汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトAPSYS
- ＜主な特徴＞ ■半導体デバイス用の汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトウェア ■半導体レーザを除くほとんど全てのデバイス設計・解析に適用可能 (半導体レーザは別製品LASTIPとPICS3Dでシミュレーションが可能) ■シリコン、化合物から成るデバイスの設計に用いることが可能 ＜多様な物理モデルや機能＞ ■電流-電圧(I-V)特性 ■ポテンシャル、電場、電流の2次元分布 ■流体力学モデルにおけるホット・キャリア温度の2次元分布 ■熱輸送モデルで用いられる格子温度の２次元分布 ■様々なバイアス条件のもとでのバンド図 ■任意の周波数帯における交流微小信号応答解析の結果 ■荷電子混合モデルを用いた量子井戸のサブバンド ■半導体中の深いレベルにトラップされた不純物占有数と密度の２次元分布 ■光検出器などの光デバイスの２次元光学場分布 ■LEDの自己放出スペクトルの電流依存性 ■FDTDインターフェイス ■その他機能や詳細については、カタログダウンロード もしくはお問い合わせ下さい。 ■試用版のご希望は下記のお問い合わせからご連絡ください。
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- PICS3D(Fabry-Perot Edition)
- ＜主な特徴＞ ■２次元構造モデルに基づいた半導体レーザのシミュレーションソフト ■共振器方向での効果を含まないため計算がより軽く実行可能 ■有限要素計算のメッシュも２次元で設定するため収束がよりスムーズ ＜多様な物理モデルや機能＞ ■光出力-電流（L-I）特性 ■電流-電圧（I-V）特性 ■２次元ポテンシャル、電場、電流分布 ■電子とホール密度の２次元分布 ■様々なバイアス条件の下でのバンド図 ■半導体中の深いレベルのトラップの占有数と密度の２次元分布 ■２次元多重横モードの光学場分布 ■２次元局所光学利得分布 ■バイアス電流に対するモード別屈折率依存性 ■バイアス電流に対するモード別利得と屈折率変化の依存性 ■電流に対する自発放出スペクトルの依存性 ■Far-field 分布 ■上記の全ての量の時間発展（過渡的モデル）と温度依存性（一様温度） ■その他機能や詳細については、カタログダウンロード もしくはお問い合わせ下さい。 ■試用版のご希望は下記のお問い合わせからご連絡ください。
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- 半導体レーザ・光デバイス用3Dシミュレーター PICS3D
- ＜主な特徴＞ ■共振器方向の効果が重要なデバイスの設計・解析に適しています ■モード結合理論と多層膜光学理論によりDFB,DBR,VCSELのような回折格子を 含むレーザダイオードが計算可能 ＜多様な物理モデルや機能＞ ■ウェーブガイド・グレーティングの結合係数（１次、２次のグレーティング） ■縦方向のキャリア密度分布、主・副縦モードについての光学利得と光強度 ■２次グレーティングDFBレーザーについての表面放出モード分布の計算 ■異なる縦モードに対する出力と周波数変化 ■サイドモード比、線幅、線幅と出力の積、有効α、２次調和歪み、 表面放出出力（２次グレーティングDFB） ■異なるレーザー面と任意のバイアス条件でのモード出力スペクトル ■異なるバイアス条件と時間におけるモード出力スペクトル ■任意のバイアス条件におけるAM/FM微小信号変調応答、FM/RINノイズスペクトル ■２次調和歪みスペクトル ■その他機能や詳細については、カタログダウンロード もしくはお問い合わせ下さい。 ■試用版のご希望は下記のお問い合わせからご連絡ください
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